共模扼流线圈及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种共模扼流线圈，能够有效防止导体线圈间的迁移，且有效防止导体线圈的布线电阻上升和磁性层电阻率降低。是在第1磁性层上层叠有非磁性层和第2磁性层，非磁性层中包含2个对置的导体线圈的共模扼流线圈(10)，其中，非磁性层(3)由烧结玻璃陶瓷构成，导体线圈(2、4)由含铜导体构成，第1磁性层(1)和第2磁性层(5)的至少一方由包含Fe2O3、Mn2O3、NiO、ZnO、CuO的烧结铁素体材料构成。该烧结铁素体材料中，CuO换算含量为5mol％以下，并且，Fe2O3换算含量为25～47mol％且Mn2O3换算含量为1～7.5mol％，或Fe2O3换算含量为35～45mol％且Mn2O3换算含量为7.5～10mol％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种共模扼流线圈，更详细而言，涉及在第I磁性层上层叠非磁性层和第2磁性层，在该非磁性层中包含2个对置的导体线圈的共模扼流线圈。另外，本专利技术也涉及该共模扼流线圈的制造方法。
技术介绍
共模扼流线圈也称为共模噪声滤波器，用于降低、优选除去使用各种电子设备时产生的共模噪声。特别是在利用差分传输方式的高速数据通信中共模噪声将成为问题，而共模扼流线圈广泛利用于该用途。以往，作为共模扼流线圈已知在第I磁性层上层叠非磁性层和第2磁性层，该非磁性层中包含2个对置的导体线圈的构成。作为非磁性层的材料，可使用玻璃陶瓷，由此，与使用聚酰亚胺树脂、环氧树脂等树脂的情况相比，能够提高非磁性层的耐湿性及含有非磁性层的层叠体与外部端面电极的连接强度(参照专利文献I)。专利文献I :日本特开2006-319009号公报
技术实现思路
共模扼流线圈中通常使用银作为导体线圈的材料。例如专利文献I中，作为导体线圈的材料使用银，在非磁性层使用玻璃陶瓷，第I和第2磁性层中使用含有Fe203、NiO, Zn0、Cu0作为主要成分的Ni-Zn-Cu系铁素体材料，由此得到层叠体坯片，将其一体煅烧(参照专利文献I的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共模扼流线圈，是在第1磁性层上层叠有非磁性层和第2磁性层，在该非磁性层中包含2个对置的导体线圈的共模扼流线圈，其中，非磁性层由烧结玻璃陶瓷构成，导体线圈由含铜导体构成，第1磁性层和第2磁性层的至少一方由包含Fe2O3、Mn2O3、NiO、ZnO、CuO的烧结铁素体材料构成，该烧结铁素体材料中，CuO换算含量为5mol％以下，以及Fe2O3换算含量为25mol％～47mol％并且Mn2O3换算含量为1mol％以上且低于7.5mol％，或Fe2O3换算含量在35mol％～45mol％且Mn2O3换算含量为7.5mol％～10mol％。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：北村未步，工藤敬实，山本笃史，中村彰宏，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：