【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据存储技术,特别涉及一种。
技术介绍
在现有技术中,基于NAND FLASH (与非闪存)的SSD (Solid State Disk,固态硬盘)数据存储系统得益于高吞吐、低耗电、耐震、稳定性高、耐低温、发热量小、工作噪音低等众多优势,在企业高性能计算机、军事及产业、个人电脑、超低价个人电脑以及企业电脑等领域有着广阔的应用前景。然而,随着NAND FLASH工艺尺寸的缩小以及MLC (Multi-Level Cell,多层单元) 技术的运用,使得NAND FLASH出现严重的可靠性问题。因此,现有技术中通常采用纠错码技术来解决NAND FLASH数据存储的可靠性问题。纠错码技术主要分为两个阶段,其中在数据写入NAND FLASH的阶段中,纠错码技术通过相应算法为每一个page(页)的数据增加对应的冗余位、以使数据的原始信息能够更加分散地被存储,数据写入NANDFLASH 的阶段也可称为编码阶段;在数据读出NAND FLASH的阶段中,纠错码技术利用冗余位找出对应page的数据的错误位置并进行纠正,从而正确地恢复得到数据的原始信息,数据读出NAND ...
【技术保护点】
一种用于数据存储的访问控制方法,其特征在于,在应用该访问控制方法的存储架构中包含至少两个封装体,每个封装体中划分有数据存储区和冗余存储区;并且,该访问控制方法包括:?a1、当对所述存储架构执行写操作时,将数据的原始信息向其中一个封装体内的数据存储区写入、并同时将数据的冗余位向另一个封装体内的冗余存储区写入;?b1、当对所述存储架构执行读操作时,从一个封装体内的数据存储区中读取数据的原始信息、并同时从另一个封装体内的冗余存储区读取数据的冗余位。
【技术特征摘要】
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