石墨烯量子电容测试器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种石墨烯量子电容测试器件及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。本发明专利技术的石墨烯量子电容测试器件及其制备方法可提高石墨烯量子电容的测量精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及量子电容测试器件，尤其涉及一种。
技术介绍
由碳原子构成的单层片状结构的二维材料，例如石墨烯，因其超高的本征载流子迁移率、超高的强场漂移速度和极高的电流承载能力，因此可用来制备具有更小尺寸和更快导电速度的新一代半导体器件。现有的基于石墨稀的量子电容测试器件，包括衬底，衬底上形成有石墨稀、石墨稀作为半导体器件的沟道材料，其上依次形成有源/漏电极、栅介质(栅氧化层)和栅电极。可见，石墨烯的量子电容Cq和栅氧化层的电容Cox是串联结构，其总电容Ctotal 为Ctotal= —；~~I , ICq Cox由于石墨烯表面没有悬挂键和亲水基团，无法直接ALD (原子层沉积)，而先沉积金属再氧化的方法导致增大了栅氧化层的EOT (等效氧化层厚度)；同时，由于能带结构的不同,Fowler-Nordheim (福勒-诺得海姆)遂穿明显大于娃半导体器件,栅介质的物理厚度需要非常大。因此，采用现有的上述结构时，栅氧化层的物理厚度较大，电容Cox较小，而石墨烯的量子电容Cq本身就非常大，因此测量得到的总电容主要由栅氧化层的电容Cox决定， 导致得出的石墨烯的量子电容Cq不够精确。专利技术内本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯量子电容测试器件，其特征在于，包括：衬底所述衬底上形成有栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；所述衬底上还形成有栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与所述栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形相接触；所述栅电极图形上形成有栅介质层图形；所述栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成有石墨烯层图形；以及所述石墨烯层图形上对应所述源电极图形和漏电极图形分别形成有欧姆接触层图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖柯，吴华强，吕宏鸣，钱鹤，伍晓明，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：