低漏电流的Bi0.92Tb0.08Fe1‐xCrxO3 薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种低漏电流的Bi0.92Tb0.08Fe1-xCrxO3薄膜的制备方法，将硝酸铋、硝酸铁、硝酸铽和硝酸铬按摩尔比0.97∶1-x∶0.08∶x溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液中，形成混合溶液，向混合溶液中加入乙醇胺调节粘度及络合程度，得到稳定的BiFeO3前驱液；采用旋涂法和逐层退火的工艺得到Tb和Cr共掺晶态的BiFeO3薄膜。在150kV/cm的测试电场下漏电流密度仍保持在10-4A/cm2以下的晶态的Bi0.92Tb0.08Fe0.99Cr0.01O3薄膜。本发明专利技术设备要求简单，实验条件容易达到，制备的薄膜均匀性较好，并且通过Tb和Cr共掺杂降低薄膜的漏电流。

【技术实现步骤摘要】
低漏电流的Bia92TbaQ8Fei_xCrx03薄膜的制备方法
本专利技术属于功能材料领域,涉及在功能化的FTO/glass基板表面制备Tb和Cr共惨杂低漏电流Bia92Tbatl8FehCrxO3薄I旲的制备方法。
技术介绍
BiFeO3是少数的单相多铁材料之一，具有扭曲的钙钛矿结构(属于R3c点群)， 由立方结构沿(111)方向拉伸而形成的一种偏离理想钙钛矿结构的菱形结构，在室温下同时具有铁电有序和反铁磁有序，由于具有较高的铁电相变温度(TC=1103K)和磁相变温度 (TN=643K)，在磁电传感器，自旋电子器件，存储器等方面有广泛的应用前景而得到关注。BiFeO3薄膜最大的问题就是低电阻率，无法在室温下测量其铁电性质。BiFeO3薄膜电学性质的表现往往受到Fe3+离子价位变化的影响。一方面，铁价态的波动使得多余空穴的形成，从而造成电阻的下降；另一方面，铁离子由+3价变成+2价，在电位补偿下形成氧空位，进一步造成漏电。此外，由于铋熔点较低，热处理时造成挥发，从而造成材料中形成许多缺陷，形成一些不纯相。例如Bi2O3, Bi2Fe4O9, Bi25FeO40等，使漏电流增加。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低漏电流的Bi0.92Tb0.08Fe1?xCrxO3薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·9H2O、Tb(NO3)3·6H2O和Cr(NO3)3·9H2O按摩尔比0.97∶1?x∶0.08∶x溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液中，形成混合溶液，向混合溶液中加入乙醇胺调节粘度及络合程度，得到稳定的BiFeO3前驱液，其中BiFeO3前驱液中的金属离子浓度为0.3mol/L，x=0.01～0.03，乙二醇甲醚、醋酸酐和乙醇胺的体积比为3.5∶1∶0.2；步骤2：采用旋涂法和逐层退火的工艺得到Tb和Cr共掺晶态的低漏电流的Bi0.92Tb...

【技术特征摘要】
1.一种低漏电流的Bia92Tbaci8FehCrxO3薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤 步骤 I :将 Bi (NO3) 3 · 5H20、Fe (NO3) 3 · 9H20、Tb (NO3) 3 · 6H20 和 Cr (NO3) 3 · 9H20 按摩尔比O. 97 Ι-x 0.08 χ溶于乙二醇甲醚和醋酸酐的混合液中，形成混合溶液，向混合溶液中加入乙醇胺调节粘度及络合程度，得到稳定的BiFeO3前驱液，其中BiFeO3前驱液中的金属离子浓度为O. 3mol/L, x=0. 01 O. 03，乙二醇甲醚、醋酸酐和乙醇胺的体积比为3.5 I O. 2 ； 步骤2:采用旋涂法和逐层退火的工艺得到Tb和Cr共掺晶态的低漏电流的Bi0.92Tb0.08Fe1^xCrxO3 薄膜。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，步骤2中重复旋涂和逐层退火步骤直到得到期望厚度的BiFeO3薄膜。3.根据权利要求I所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈国强，董国华，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：