一种铌酸钾钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料及其陶瓷膜片的制备方法技术

技术编号:8447751 阅读:308 留言:0更新日期:2013-03-20 23:57
本发明专利技术公开了一种铌酸钾钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料,其组成为:陶瓷基料34~65wt%、模板1~20wt%、去离子水20~60wt%、粘结剂1~30wt%、增塑剂1~5wt%、分散剂0.5~3wt%、成膜助剂0.5~2wt%、除泡剂0.05~1wt%;所述陶瓷基料为含1~5wt%烧结助剂的铌酸钾钠基陶瓷粉料;所述模板为片状Nb2O5。此外还公开了采用上述浆料制备陶瓷膜片的方法。本发明专利技术能够很好地适应环境友好及清洁生产等发展趋势,并提高了产品质量;而且工艺成本低、使用安全、适合于大规模工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功能陶瓷材料
,尤其涉及。
技术介绍
压电陶瓷作为一类重要的功能陶瓷,具有实现电能与机械能直接转换的功能,其工作原理源自力-电耦合的压电效应,涉及材料、物理、力学等多学科交叉,已广泛应用于 电子信息、超声换能、传感器、无损检测等
目前,现有技术大规模使用的压电陶瓷材料体系主要是铅基压电陶瓷。由于铅基压电陶瓷材料在生产、使用及废弃后的处理过程中都会给人类及生态环境带来严重危害,因此环境友好的新型压电陶瓷材料已成为世界广泛关注和研发的热点。铌酸钾钠基无铅压电陶瓷由于其具有优越的压电性能和较高的居里温度,因而是目前最受关注的无铅压电陶瓷体系之一。现有技术铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的制备方法主要包括传统固相烧结法、水热合成法、溶胶-凝胶合成法(sol-gel)、模板晶粒生长法(Templated Grain Growth, TGG)、反应模板晶粒生长法(Reactive-Templated Grain Growth, RTGG)等,而不同的制备技术对铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的性能有着重大的影响。其中,固相烧结法是最常用的方法之一,具有制备成本低、制备过程简单等特点,但本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铌酸钾钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料,其特征在于所述浆料其组成为:陶瓷基料34~65wt%、模板1~20wt%、去离子水20~60wt%、粘结剂1~30wt%、增塑剂1~5wt%、分散剂0.5~3wt%、成膜助剂0.5~2wt%、除泡剂0.05~1wt%;所述陶瓷基料为含1~5wt%烧结助剂的铌酸钾钠基陶瓷粉料;所述模板为片状Nb2O5。

【技术特征摘要】
1.一种铌酸钾钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料,其特征在于所述浆料其组成为陶瓷基料34 65wt%、模板I 20wt%、去离子水20 60wt%、粘结剂I 30wt%、增塑剂I 5wt%、分散剂0. 5 3wt%、成膜助剂0. 5 2wt%、除泡剂0. 05 lwt% ;所述陶瓷基料为含I 5wt%烧结助剂的铌酸钾钠基陶瓷粉料;所述模板为片状Nb205。2.根据权利要求I所述的铌酸钾钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料,其特征在于所述浆料其组成为陶瓷基料35 60wt%、模板2 15wt%、去离子水25 50wt%、粘结剂5 25wt%、增塑剂I 5wt%、分散剂0. 5 3wt%、成膜助剂0. 5 2wt%、除泡剂0. 05 lwt%。3.根据权利要求I或2所述的铌酸钾钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料,其特征在于所述烧结助剂为Bi203+Cu0+Li20+Zn0复合熔块,按质量比[Bi2O3 Li2O CuO] ZnO =3 9 : 5,其中 Bi2O3 Li2O : CuO = 5 9 : 2 : I。4.根据权利要求I或2所述的铌酸钾钠基织构化压电陶瓷水基流延浆料,其特征在于所述铌酸钾钠基陶瓷粉料的结构通式为(1-n) (K0 5Na0 5) ^xLixNb0.9SbyTa0. ^yO3-Ii (Ba1^zCaz) (Ti1^mZrm) O3,其中 0 < x...

【专利技术属性】
技术研发人员:李月明谢俊王竹梅洪燕沈宗洋谢志翔
申请(专利权)人:景德镇陶瓷学院
类型:发明
国别省市:

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