【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于一种以成分为特征的陶瓷组合物,特别涉及。
技术介绍
压电陶瓷材料应用遍及社会的各个领域及人们生活的各个方面。目前,应用最广泛的铅基压电陶瓷(PZT),在制备、使用、废弃过程中由于铅的存在对人类及生态环境造成严重的危害,因此研究和开发性能优异的无铅压电陶瓷,意义深远且十分迫切。目前人们已开发出多种无铅压电陶瓷,BaTiO3是最早发现的典型的无铅压电材料,但由于其居里点低及烧结温度高限制了其应用。铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,因其具有高的居里温度和优异的压电性能,被认为是最有前途取代铅基压电陶瓷的材料之一。现有技术中在KNN陶瓷的基础上对其同时进行A位Li掺杂和B位Ta、Sb掺杂,利用传统固相烧结 工艺得到了 d33>300pC/N的压电陶瓷,能与商用PZT系陶瓷性能匹敌。但是KNN基压电陶瓷在制备过程中碱金属丢失是一个大问题。目前,人们大多通过掺杂改性和改进工艺来降低烧结温度以减少碱的挥发,而通过两步烧结和碱的弥补以减少碱的挥发则不曾报导。
技术实现思路
本专利技术的目的,是为解决铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料制备过程中碱金属丢失的问题,提供一种添加铌酸钾, ...
【技术保护点】
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷,其原料组成及其摩尔比aKNbO3?(1?a)(Na0.52K0.44Li0.04)(Nb0.88Sb0.08Ta0.04)O3,其中a=0.04~0.06。
【技术特征摘要】
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