电平生成电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电平生成电路。该电路包括差动放大电路和输出级；所述差动放大电路包括P型第一MOS管、第二MOS管，N型第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管；所述输出级包括P型第三MOS管，N型第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管。该专用的电平生成电路能够生成精度较高也较稳定的电平。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电平生成电路，包括差动放大电路和输出级，其特征在于：所述差动放大电路包括P型第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2），N型第四MOS管（M4）、第五MOS管（M5）、第六MOS管（M6）；所述输出级包括P型第三MOS管（M3），N型第七MOS管（M7）、第八MOS管（M8）、第九MOS管（M9）；差动放大器的第一MOS管（M1）的漏极、源极和栅极分别连接到第四MOS管（M4）的漏极、递升电压（VPP）以及第二MOS管（M2）的栅极和第一MOS管（M1）的漏极；第二MOS管（M2）的漏极、源极和栅极分别连接到第五MOS管（M5）的漏极、递升电压（VPP）和第一MOS管（M1）的栅极；第四M...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：桑园，
申请(专利权)人：郑州单点科技软件有限公司，
类型：实用新型
国别省市：