一种卧式结构高压变频器功率单元制造技术

一种卧式结构高压变频器功率单元，其特征在于，的两个IGBT功率模块(10)关于旁路可控硅(11)对称排列，并紧密固定在散热器(2)上，均压电阻(12)排列于两个IGBT功率模块(10)的两侧，直流电解电容(6)成组排列于散热器(1)的左侧；通过电容连接母线(5)对多个直流电解电容(6)进行串、并联成组的连接，并实现使直流电解电容(6)同整流二极管(1)保持电气连接；整流二极管(1)以输入功率端子(3)作为其供电输入，直流电解电容(2)通过IGBT连接母线(8)将其连接于IGBT功率模块(10)的输入端，IGBT功率模块(10)的输出端通过输出功率端子(13)向壳体(4)外输出。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体开关
，特别涉及一种卧式结构高压变频器功率单J Li o
技术介绍
H桥功率单元的电路拓扑结构图示于附图I。外部三相的交流供电经由二极管整流器，变为直流进入功率单元，并对串并联的电解电容器组进行充电，实现稳压，稳压之后所得的直流电压提供给由IGBT组成的单相H形桥式逆变电路，逆变成为给定频率的输出电压，再用于同其它功率单元的串联输出。目前技术存在的问 题有，连接结构不合理，节约材料浪费，装配不便等缺点。
技术实现思路
本技术是针对H桥功率单元串联多电平变频器而设计的一种结构合理，节约材料浪费，装配方便的卧式结构高压变频器功率单元。本技术解决其技术问题采用的技术方案如下一种卧式结构高压变频器功率单元，包括整流二极管、散热器、输入功率端子、壳体、电容连接母线、直流电解电容、母线绝缘板、IGBT连接母线、吸收电容、IGBT功率模块、旁路可控硅、均压电阻以及输出功率端子，其中，两个IGBT功率模块关于旁路可控硅对称排列，并全部紧密固定在散热器上，两个IGBT功率模块不相邻的两侧各设有一个均压电阻，直流电解电容成组排列于散热器的左侧；通过使用母线绝缘板进行绝缘的电容连接母线对多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种卧式结构高压变频器功率单元，包括整流二极管(1)、散热器(2)、输入功率端子(3)、壳体(4)、电容连接母线(5)、直流电解电容(6)、母线绝缘板(7)、IGBT连接母线(8)、吸收电容(9)、IGBT功率模块(10)、旁路可控硅(11)、均压电阻(12)以及输出功率端子(13)，其特征在于，两个IGBT功率模块(10)关于旁路可控硅(11)对称排列，并全部紧密同定在散热器(2)上，两个IGBT功率模块(10)不相邻的两侧各设有一个均压电阻(12)，直流电解电容(6)成组排列于散热器(1)的左侧；通过使用母线绝缘板(7)进行绝缘的电容连接母线(5)对多个直流电解电容(6)进行串、并联成组的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马永述，黄林波，绳伟辉，邵长宏，王鹏，干永革，
申请(专利权)人：中冶赛迪电气技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：