一种晶体硅太阳能组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶体硅太阳能组件，包括左回路、中间回路以及右回路，还包括位于所述的左回路内的左输出单元、位于所述的中间回路内的旁路单元、位于所述的右回路内的右输出单元、与所述的左输出单元相连接的左输出端、与所述的右输出单元相连接的右输出端，所述的左输出单元、所述的旁路单元、所述的右输出单元分别相串联设置，采用二极管分体式设计，大幅度降低了结温，避免了因过热造成的盒体变形，通过采用两端输出，降低了汇流带的使用量，降低了组件内部的功劳损耗，且在应用时，降低了电缆线的使用量，降低了系统内部的功劳损耗。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶体硅太阳能组件。
技术介绍
传统的晶体娃太阳能组件包括左回路、中间回路以及右回路，所述的左回路、中间回路、右回路三者通过汇流带连接到接线盒内，结温较高，易因过热造成盒体变形，且汇流带使用量较大，造成组件内部的功劳损耗较高，且组件在应用时，电缆线的使用量较大，系统内部的功劳损耗较高
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的缺陷，提供一种晶体硅太阳能组件，降低了结温，降低了汇流带以及电缆线的使用量，降低了功劳损耗。为实现上述目的，本技术的技术方案是提供了一种晶体硅太阳能组件，包括左回路、中间回路以及右回路，还包括位于所述的左回路内的左输出单元、位于所述的中间回路内的旁路单元、位于所述的右回路内的右输出单元、与所述的左输出单元相连接的左输出端、与所述的右输出单元相连接的右输出端，所述的左输出单元、所述的旁路单元、所述的右输出单元分别相串联设置。作为优选地，所述的左输出单元包括左盒体、设置于所述的左盒体上的两个镀锡层、分别将两个所述的镀锡层相连接的两个二极管、设置于其中一个所述的镀锡层上的汇流带，所述的左输出端与另一个所述的镀锡层相连接。作为优选地，所述的旁路单元包括中间盒体、设置于所述的中间盒体上的两个镀锡层、分别将两个所述的镀锡层相连接的两个二极管、分别设置于两个所述的镀锡层上的汇流带。作为优选地，所述的右输出单元包括右盒体、设置于所述的右盒体上的两个镀锡层、分别将两个所述的镀锡层相连接的两个二极管、设置于其中一个所述的镀锡层上的汇流带，所述的右输出端与另一个所述的镀锡层相连接。本技术的优点和有益效果在于采用二极管分体式设计，大幅度降低了结温，避免了因过热造成的盒体变形，通过采用两端输出，降低了汇流带的使用量，降低了组件内部的功劳损耗，且在应用时，降低了电缆线的使用量，降低了系统内部的功劳损耗。附图说明图I为本技术示意图；图2为左输出单元的示意图；图3为旁路单元的示意图；图4为右输出单元的示意图。图中1、左回路；2、中间回路；3、右回路；4、左输出单元；5、旁路单元；6、右输出单元；7、左输出端；8、右输出端；9、左盒体；10、镀锡层；11、二极管；12、汇流带；13、中间盒体；14、右盒体。具体实施方式以下结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，而不能以此来限制本技术的保护范围。 如图I所示，一种晶体硅太阳能组件，包括左回路I、中间回路2以及右回路3，还包括位于所述的左回路I内的左输出单元4、位于所述的中间回路2内的旁路单元5、位于所述的右回路3内的右输出单元6、与所述的左输出单元4相连接的左输出端7、与所述的右输出单元6相连接的右输出端8，所述的左输出单元4、所述的旁路单元5、所述的右输出单元6分别相串联设置。如图2所示，所述的左输出单元4包括左盒体9、设置于所述的左盒体9上的两个镀锡层10、分别将两个所述的镀锡层10相连接的两个二极管11、设置于其中一个所述的镀锡层10上的汇流带12，所述的左输出端7与另一个所述的镀锡层10相连接。如图3所示，所述的旁路单元5包括中间盒体13、设置于所述的中间盒体13上的两个镀锡层10、分别将两个所述的镀锡层10相连接的两个二极管11、分别设置于两个所述的镀锡层10上的汇流带12。如图4所示，所述的右输出单元6包括右盒体14、设置于所述的右盒体14上的两个镀锡层10、分别将两个所述的镀锡层10相连接的两个二极管11、设置于其中一个所述的镀锡层10上的汇流带12，所述的右输出端8与另一个所述的镀锡层10相连接。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。权利要求1.一种晶体硅太阳能组件，包括左回路、中间回路以及右回路，其特征在于还包括位于所述的左回路内的左输出单元、位于所述的中间回路内的旁路单元、位于所述的右回路内的右输出单元、与所述的左输出单元相连接的左输出端、与所述的右输出单元相连接的右输出端，所述的左输出单元、所述的旁路单元、所述的右输出单元分别相串联设置。2.如权利要求I所述的晶体硅太阳能组件，其特征在于所述的左输出单元包括左盒体、设置于所述的左盒体上的两个镀锡层、分别将两个所述的镀锡层相连接的两个二极管、设置于其中一个所述的镀锡层上的汇流带，所述的左输出端与另一个所述的镀锡层相连接。3.如权利要求I所述的晶体硅太阳能组件，其特征在于所述的旁路单元包括中间盒体、设置于所述的中间盒体上的两个镀锡层、分别将两个所述的镀锡层相连接的两个二极管、分别设置于两个所述的镀锡层上的汇流带。4.如权利要求I所述的晶体硅太阳能组件，其特征在于所述的右输出单元包括右盒体、设置于所述的右盒体上的两个镀锡层、分别将两个所述的镀锡层相连接的两个二极管、设置于其中一个所述的镀锡层上的汇流带，所述的右输出端与另一个所述的镀锡层相连接。专利摘要本技术公开了一种晶体硅太阳能组件，包括左回路、中间回路以及右回路，还包括位于所述的左回路内的左输出单元、位于所述的中间回路内的旁路单元、位于所述的右回路内的右输出单元、与所述的左输出单元相连接的左输出端、与所述的右输出单元相连接的右输出端，所述的左输出单元、所述的旁路单元、所述的右输出单元分别相串联设置，采用二极管分体式设计，大幅度降低了结温，避免了因过热造成的盒体变形，通过采用两端输出，降低了汇流带的使用量，降低了组件内部的功劳损耗，且在应用时，降低了电缆线的使用量，降低了系统内部的功劳损耗。文档编号H01L31/048GK202797010SQ201220315938公开日2013年3月13日 申请日期2012年7月2日 优先权日2012年7月2日专利技术者沈彪, 李向清, 胡德良 申请人:江苏爱多光伏科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能组件，包括左回路、中间回路以及右回路，其特征在于：还包括位于所述的左回路内的左输出单元、位于所述的中间回路内的旁路单元、位于所述的右回路内的右输出单元、与所述的左输出单元相连接的左输出端、与所述的右输出单元相连接的右输出端，所述的左输出单元、所述的旁路单元、所述的右输出单元分别相串联设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：沈彪，李向清，胡德良，
申请(专利权)人：江苏爱多光伏科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：