多绕组磁结构制造技术

一种多绕组磁结构，其包括磁铁芯和多个绕组，磁铁芯限定通过铁芯的多个磁通路径，多个绕组绕部分铁芯延伸。所述绕组中的至少一些邻近该结构的周边定位。该结构还包括电导体，电导体沿该结构的周边和邻近该结构的周边定位的所述绕组延伸。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术公开涉及多绕组磁结构。
技术介绍
该部分提供与本公开相关的背景信息，其不必为现有技术。变压器是通过电感耦合的导体将电能从一个电路传送至另一个的装置。电感耦合的导体是变压器的线圈或绕组。 在一个形式中，变压器具有两个电流分开的线圈。这些线圈通常被称为初级绕组或次级绕组。通常将电流连接至能量源或主动控制电参数的电路系统的绕组指定为初级绕组。次级绕组通常是连接至能量接收器或被动地响应于初级电路的动作的电路的绕组。当然，初级/次级的指定对于变压器本身通常是没有意义的，而仅是用于描述该变压器在整体电路中所起的作用。初级绕组和次级绕组以与变压器的主要原理相同的方式工作。例如在具有相同的初级线圈和次级线圈的变压器的情况下，可以使线圈互换，而不会对连接至这种变压器的电路(或多个电路)的操作产生任何影响。使具有不同初级线圈和次级线圈的变压器的线圈互换会改变电压和电流关系，但只会影响相连接的电路系统，而变压器本身还是以同样的方式工作。另外，初级绕组和次级绕组可以以与普通变压器不同的方式连接、使用等，使得初级和次级的术语变得没有意义(或者可能产生误解)。在具有多绕组——例如，包括如本申请中公开的磁结构一的变压器的情况下，术语变得更加易于产生误解。因此，此处通常对于不同的绕组使用数字来指定(代替初级-次级)。图I图示了总体上由附图标记100指出的双绕组变压器，连同横跨变压器100的绕组的电压V1、V2和通过变压器100的绕组的电流11、12。为了改善绕组之间的能量传送，通常将高磁(高磁导率)材料用作变压器铁芯102。该铁芯102为磁场提供了经过两个绕组的低磁阻路径，从而使得近乎所有磁场都由第一线圈和第二线圈围绕。双绕组变压器(例如，变压器100)中的电压与电流之间的关系由第一绕组的圈数NI与第二绕组的圈数N2的比(即，圈数比)确定。该关系可以以数学方式表示为「 n Fl -/2 M/ , x-=-=--\ I / Vl Il N 2图2中示出了具有多于两个绕组的变压器200的示例。这种变压器通常在公用事业线路频率应用(50/60HZ )中以及高频切换模式电源中使用。变压器200包括分别具有NI、N2、N3圈的第一绕组、第二绕组和第三绕组。横跨第一绕组、第二绕组和第三绕组的电压分别为VI、V2和V3，而进入第一绕组、第二绕组和第三绕组的电流分别为II、12和13。变压器200通常被称为串联多绕组变压器。变压器200 (和具有多于两个绕组的其它变压器)的电压与电流之间的关系与双绕组变压器(例如，变压器100)的电压与电流之间的关系不同。横跨变压器200的全部三个绕组的电压以与双绕组变压器(例如，变压器100)相同的方式通过圈数比相关联。S卩，电压关系由如下等式约束权利要求1.一种并联多绕组磁结构，其包括 磁铁芯，所述磁铁芯限定通过所述铁芯的多个磁通路径； 多个绕组，所述多个绕组绕部分所述铁芯延伸，所述绕组中的至少一些邻近所述结构的周边定位；以及 电导体，所述电导体沿所述结构的周边和邻近所述结构的周边定位的所述绕组延伸。2.如权利要求I所述的结构，其中，所述结构包括多个电导体，所述多个电导体沿所述结构的周边和邻近所述结构的周边定位的所述绕组延伸。3.如权利要求2所述的结构，其中，所述多个电导体通过邻近所述结构的周边定位的所述绕组彼此分隔开。4.如权利要求3所述的结构，其中，邻近所述结构的周边定位的所述绕组每个具有与所述多个电导体交叉的多个圈。5.如权利要求4所述的结构，其中，所述多个电导体与邻近所述结构的周边定位的所述绕组的所述多个圈中的所有圈交叉。6.如权利要求2所述的结构，其中，所述多个电导体彼此电连接。7.如权利要求6所述的结构，其中，所述多个电导体包括在第一平面中延伸的电导体以及在垂直于所述第一平面的第二平面中延伸的一个或多个电导体。8.如权利要求7所述的结构，其中，在所述第一平面中延伸的所述电导体通过在所述第二平面中延伸的所述一个或多个电导体彼此电连接。9.如权利要求7所述的结构，其中，在所述第一平面中延伸的所述电导体沿所述结构的侧面表面定位，并且在所述第二平面中延伸的所述一个或多个电导体沿所述结构的顶部表面或底部表面定位。10.如权利要求I至9中任一项所述的结构，其中，所述周边是所述结构的外周边。11.如权利要求10所述的结构，其中，所述电导体是第一电导体，所述结构包括内周边，并且所述绕组中的至少一些邻近所述结构的内周边定位，所述结构还包括第二电导体，所述第二电导体沿所述结构的内周边和邻近所述结构的内周边定位的所述绕组延伸。12.如权利要求11所述的结构，其中，沿所述结构的外周边延伸的所述电导体电连接至沿所述结构的内周边延伸的所述电导体。13.如权利要求I至9中任一项所述的结构，其中，所述周边是所述结构的内周边。14.如权利要求I至9中任一项所述的结构，其中，所述铁芯包括第一部分和第二部分，所述第二部分通过气隙与所述第一部分分隔开，并且所述电导体沿所述气隙的两相对侧延伸。15.如权利要求I至9中任一项所述的结构，其中，所述电导体形成闭合回路。16.如权利要求I至9中任一项所述的结构，其中，所述电导体电连接至基准电压。17.如权利要求16所述的结构，其中，所述电导体经由电容器电连接至所述基准电压。18.如权利要求I至9中任一项所述的结构，其中，所述电导体具有两相对的端部，并且所述两相对的端部中的至少一个联接至一个或多个电路元件。19.如权利要求18所述的结构，其中，所述一个或多个电路元件包括滤波器。20.如权利要求18所述的结构，其中，所述一个或多个电路元件包括DC电流源。21.如权利要求18所述的结构，其中，所述一个或多个电路元件包括AC电压源。22.如权利要求18所述的结构，其中，所述一个或多个电路元件包括电容器，所述电容器联接在所述电导体的所述两相对的端部之间。23.如权利要求I至9中任一项所述的结构，其中，所述电导体和所述多个绕组形成在具有一个或多个层的电路板上。24.如权利要求I至9中任一项所述的结构，其中，所述多个绕组等于四个绕组。25.如权利要求I至9中任一项所述的结构，其中，所述多个绕组等于十二个绕组。26.如权利要求I至9中任意一个所述的结构，其中，所述多个绕组是平面绕组。专利摘要一种多绕组磁结构，其包括磁铁芯和多个绕组，磁铁芯限定通过铁芯的多个磁通路径，多个绕组绕部分铁芯延伸。所述绕组中的至少一些邻近该结构的周边定位。该结构还包括电导体，电导体沿该结构的周边和邻近该结构的周边定位的所述绕组延伸。文档编号H01F27/30GK202796372SQ201120563889公开日2013年3月13日 申请日期2011年12月29日 优先权日2011年9月30日专利技术者彼得·马尔科夫斯基, 安德烈亚斯·施蒂德尔 申请人:雅达电子国际有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种并联多绕组磁结构，其包括：磁铁芯，所述磁铁芯限定通过所述铁芯的多个磁通路径；多个绕组，所述多个绕组绕部分所述铁芯延伸，所述绕组中的至少一些邻近所述结构的周边定位；以及电导体，所述电导体沿所述结构的周边和邻近所述结构的周边定位的所述绕组延伸。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：彼得·马尔科夫斯基，安德烈亚斯·施蒂德尔，
申请(专利权)人：雅达电子国际有限公司，
类型：实用新型
国别省市：