一种获得大量高纯度半导体性单壁碳纳米管的分离方法技术

本发明专利技术属于碳纳米管技术领域，具体为一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的分离方法。该方法包括：将适量的单壁碳纳米管与十二烷基硫酸钠充分混合均匀，超声离心后得到独立悬浮在水溶液中的碳管，利用金属性和半导体性碳管表面吸附表面活性剂分子能力的不同而造成的他们与琼脂糖凝胶间的作用力存在较大的差异，通过调节外加电场的电压和电泳时间可实现半导体性碳管的大量富集。本发明专利技术的优点为在不破坏碳管本身结构的同时可获得纯度大于99%的半导体性单壁碳纳米管。该方法具有简单易操作、纯度高、低成本、可控、重复性好、易于放大等特点，可规模化生产，具有良好的工业应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于碳纳米管
，具体涉及一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的分离方法。
技术介绍
自1993年NEC基础研究所的S. Iijima与IBM公司的D. Bethune分别用Fe和Co混在石墨电极中，各自独立的合成了单壁碳纳米管(SWNT)以来，SWNT以其独特的结构，特殊的电学性质，优异的光学、热力学等性质迅速成为各领域的研究热点，在光电子器件、传感器、储氢材料等方面显示出良好的应用前景。理论上SWNT可看作是由单层石墨烯片层按照一定的晶体学矢量方向卷曲而成的 无缝空心圆筒，由于卷曲矢量的不同，SWNT呈现出不同的结构和性质。SWNT的电子性质由其物理结构(直径和手性角)决定，可分为半导体性和金属性。现有制备所得的SWNT均为金属型和半导体型的混合物，前者约占33%，后者则约占67%。半导体型SWNT是制备纳米半导体电子器件的优良材料，潜在应用领域包括晶体管、传感器、逻辑门、导电薄膜、场发射源、红外发射体、传感器、光学器件等，其中由于SWNT具有较高的载流子迁移率而使其在场效应晶体管(FET)方面的应用被寄予厚望。然而，由于金属性SWNT的混入使得FET的场迁移率以及ο本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种获得大量高纯度半导体性单壁碳纳米管的分离方法，其特征在于具体步骤如下：第一，SWNT分散液的制备将原料SWNT与质量分数为0.1%？5%的阴离子表面活性剂SDS水溶液充分混合，配置成浓度为0.01？5mg/ml的SWNTs溶液，经超声波细胞破碎仪在？40？1200W功率下超声2？100？h，在离心力10000？30000g，温度15？25℃下超速离心1？24h后，取上清液，得到SWCNTs／SDS分散液；第二，琼脂糖凝胶电泳分离取TB缓冲液与琼脂糖混合，微波加热溶解，配成琼脂糖质量分数为0.4？1％？的均匀透明溶液，注入到玻璃管中，室温下冷却，形成凝胶状，称为空白柱，取SWCNTs／SDS...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张玲莉，汪伟志，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：