二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种二接脚可控制转折电压(Breakovervoltage)防雷击浪涌与静电的集成化保护器，包括一具有三个电极的闸流体(Thyristor)，例如硅控整流器(SCR)，以及一个提供该闸流体闸极触发信号的晶体管与一电压检知电路，当并联的集成化保护器与被其保护的元器件或装置的两端有雷击浪涌或静电发生时，该集成化保护器可以藉由该电压检知电路获得适当的电流触发该闸流体，使得该集成化保护器导通，而提供雷击浪涌或静电导通的路径，达到保护与该集成化保护器并联的其它组件或装置的功能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电路保护器，尤其涉及一种二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器。
技术介绍
·一般电路为防止雷击浪涌与静电所产生的突波，往往于电源各相间或信号各线间皆并联有一如闸流体(thyristor)或突波吸收器(varistor)的保护组件,如图I所示，即为利用突波吸收器I的保护组件以保护电路中的负载装置200电路图。然而上述现有保护组件拥有的电压-电流特性曲线，请参阅图2所示，使得在雷击浪涌或静电突波产生之时，上述现有保护组件的转折电压VBO必须高于被保护的电子组件或装置的常态工作电压VDRM，以及必须达到足够大的转折电流ΙΒ0，使得当雷击浪涌与静电侵入时，被保护两端的转折电压VBO会随着工作电压VDRM的升高而成比例的增加，造成保护效果不好，以及影响负载装置或使用上的安全。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的主要目的在于提供一种二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器，藉由该集成化保护器适时导通，而提供雷击浪涌或静电导通的路径，达到保护与该集成化保护器并联的其它元器件或负载装置的功能。本技术的次要目的在于提供一种二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器，其可封装成一具有二接脚的集成化保护器，故可方便与欲保护的其它元器件或负载装置进行耦合并联，在使用上将更为方便。为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器，其包括有一具有三个电极的闸流体(thyristor),例如 SCR(Silicon-Controlled Rectifier，娃控整流器)；一晶体管，为一 NPN型晶体管，该晶体管的射极连接至该SCR的闸极，该晶体管的集极则与该SCR的阳极相连接；一电压检知电路，其系由一第一电阻与一第二电阻所串接形成的分压电路，其中该晶体管的基极共同与该第一电阻的一端及第二电阻的一端相连接，另该第一电阻的另一端与该SCR的阳极相连接，该第二电阻的另一端则与该SCR的阴极相连接。作为优选方案，其中，该SCR、晶体管及电压检知电路系形成于同一衬底上，并加以封装，形成一集成化保护器，且该集成化保护器二侧并分别向外延伸一接脚，可供与被保护的组件或装置电性连接用。作为优选方案，其中，该集成化保护器可并联一反向的集成化保护器，达到双向突波浪涌的保护。作为优选方案，其中，该集成化保护器可串联一反向的集成化保护器，达到双向突波浪涌的保护。作为优选方案，其中，该晶体管的集极与该SCR的阳极之间更设有一限流电阻。作为优选方案，其中，该SCR f禹合一反向的二极管(Diode)。作为优选方案,其中，该SCRf禹合一反向的萧克莱二极管(Shockley Diode)。为达上述主要目的，本技术所提供的二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器，其包括有一可程序化单接合晶体管(Programmable UnijunctionTransistor, PUT),其为一具有三个电极的闸流体(thyristor)；以及一晶体管,为一 PNP型晶体管，该晶体管的射极连接至该PUT的闸极，该晶体管的集极则与该TOT的阳极相连接；以及一电压检知电路，其系由一第一电阻与一第二电阻所串接形成的分压电路，其中该晶体管的基极共同与该第一电阻一端及该第二电阻的一端所相连接，另该第一电阻的另一端与该PUT的阳极相连接，而该第二电阻的另一端则与该TOT的阴极相连接。作为优选方案，其中，该晶体管的集极与该PUT的阳极之间设有一限流电阻。本技术所提供的二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器，具有以下优点本技术所提供的二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器，因转折电压与转折电流系由内部电压检知电路所决定，所以可以藉由本技术电压检知电路的适当设计与配置达到控制转折电压与转折电流之目的，而不会影响被保护电路中的负载装置或是其它电子组件在常态工作电压下之功能，达到非常好的保护效果。附图说明图I为一种习知使用突波吸收器进行负载保护之电路图。图2为上述习用保护组件拥有之电压-电流特性曲线。图3为本技术第一较佳实施例之电路图。图4为本技术上述第一较佳实施例封装成具有二接脚之集成化保护器之示意图。图5为本技术上述第一较佳实施例之应用示意图。图6为本技术上述第一较佳实施例中耦合二极管之电路图。图7为本技术上述第一较佳实施例中耦合萧克莱二极管之电路图。图8为本技术上述第一较佳实施例拥有之电压-电流特性曲线。图9为本技术上述第一较佳实施例耦合并联一反向之集成化保护器之应用示意图。图10为本技术上述第一较佳实施例耦合串联一反向之集成化保护器之应用示意图。图11为本技术第二较佳实施例之电路图。图12为本技术上述第二较佳实施例之应用示意图。主要部件及符号说明I 突波吸收器200负载装置10SCR20晶体管30电压检知电路31第一电阻32第二电阻40PUT50晶体管60限流电阻70二极管80萧克莱二极管100保护器101接脚200负载装置。具体实施方式以下结合附图及本技术的实施例对本新型的保护器作进一步详细的说明。请参阅图3所示，为本技术之第一较佳实施例之电路图，其揭露有一种二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器，其包括有一 SCR(Silicon-Controlled Rectifier，娃控整流器)10,为一具有三个电极的闸流体(thyristor)。一晶体管20，为一 NPN型的晶体管，该晶体管20的射极连接至该SCRlO的闸极，该晶体管20的集极则与该SCRlO的阳极相连接，另该晶体管20的集极与该SCRlO的阳极之间设有一限流电阻60。一电压检知电路30，其由一第一电阻31与一第二电阻32所串接形成的分压电路，其中该晶体管20的基极共同与该第一电阻31的一端及该第二电阻32的一端相连接，另该第一电阻31的另一端与该SCRlO的阳极相连接，该第二电阻32的另一端则与该SCRlO的阴极相连接。请再参阅图4所示，为本技术上述第一较佳实施例封装成具有二接脚之集成化保护器之示意图，其中将上述SCR10、晶体管20及电压检知电路30共同形成于同一衬底上，加以封装，即构成一集成化保护器100，该集成化保护器100 二侧并分别向外延伸一接脚101，可供与外部电性连接用。请参阅图5所示，为本技术上述第一较佳实施例的应用示意图，即本技术集成化保护器100利用其二接脚101与欲保护的一负载装置200形成并联，当雷击浪涌或静电入侵时，跨于该集成化保护器100的阳极和阴极之间的电压，提供该晶体管20的基极产生电流，使得该晶体管20的射极产生足够的电流，进而使得该SCRlO的闸极被触发，该SCRlO开始转态，雷击浪涌或静电的电流由该SCRlO的阳极流进该SCR10，并由该SCRlO的阴极流出，同时藉由该第一电阻31与该第二电阻32所构成的分压电阻，可依据实际应用的要求调节该晶体管20射极的电流，用来控制该SCRlO的转折电流。请再参阅图6所示，为本技术上述第一较佳实施例之集成化保护器所拥有的电压-电流特性曲线，由于本技术的该集成化保护器在雷击浪涌或静电侵入时，能够在比工作电压VDRM低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二接脚可控制转折电压防雷击浪涌与静电的集成化保护器，其特征在于，其包括有：一硅控整流器SCR，其为一具有三个电极的闸流体；一晶体管，为一NPN型晶体管，该晶体管的射极连接至该SCR的闸极，该晶体管的集极则与该SCR的阳极相连接；一电压检知电路，其由一第一电阻与一第二电阻所串接形成的分压电路，其中该晶体管的基极共同与该第一电阻的一端及该第二电阻的一端所相连接，另该第一电阻的另一端与该SCR的阳极相连接，而该第二电阻的另一端则与该SCR的阴极相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王惠民，陈训华，黄玉章，
申请(专利权)人：光基电子苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：