半导体器件和静电致动器的驱动方法技术

根据一个实施例，半导体器件包括静电致动器，所述静电致动器包括第一和第二下电极（43，44），所述第一和第二下电极（43，44）上方通过锚状物支撑的且配置为向下移动的上电极（45），以及所述上电极（45）与所述第一和第二下电极（43，44）之间提供的绝缘膜（46），所述第一下电极（43）和上电极（45）构成第一可变电容元件（CEMS1），所述第二下电极（44）和上电极（45）构成第二可变电容元件（CMEMS2）；第一固定电容元件（CMIM1），连接到所述第一下电极（43）；第二固定电容元件（CMIM2），连接到所述第二下电极（44）；以及检测电路（15），连接到所述上电极（45）并且配置为检测存储在所述绝缘膜（46）中的电荷量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中描述的实施例通常涉及。
技术介绍
作为一种用于实现最近的电子器件的小型化、轻巧、低功率消耗和高度复杂的功能的技术，微电子机械系统(MEMS)的技术已经获得了很大的关注。MEMS是具有通过硅工艺技术结合的较小的机械元件和电子电路元件的系统。使用MEMS的静电致动器用在射频(RF)MEMS可变电容器或者RF-MEMS开关中。例如，静电致动器包括下电极、上电极和设置在所述电极之间的绝缘膜。为了将静电致动器从向上状态转换成向下状态，在下电极与上电极之间施加电势差以驱动上电极。附图说明图I是示出根据一个实施例的半导体器件10的框图。图2是如图I所示的半导体器件10的电路图。图3是MEMS可变电容器11的俯视图。图4是沿图3的线A-A’得到的MEMS可变电容器11的横截面图。图5是示出参考电压生成电路31的电路图。图6是示出MEMS可变电容器11的电容与所施加的电压之间的关系的示图。图7是示出在电荷检测操作时间时的电压关系的时序图。图8是示出在向上状态和向下状态下的电压变化AV的曲线图。图9是示出在向上状态与向下状态下的电压变化AV之间的差δν的曲线图。图10是示出在电荷检测操作时间时的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：池桥民雄，宫崎隆行，原浩幸，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：
国别省市：