【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁共振摄像(MRI：Magnetic Resonance Imaging)装置，并涉及进行电磁波的照射、核磁共振信号的检测的高频线圈。
技术介绍
MRI装置是使横切检查对象的任意的截面内的核自旋引起磁共振，并根据产生的核磁共振信号来得到该截面内的断层像的医用图像诊断装置。当对置于静磁场中的被检体施加倾斜磁场，并同时通过高频线圈(RF线圈)来照射高频磁场时，被检体内的核自旋、例如氢原子的核自旋被激发，在被激发的核自旋返回平衡状态时，产生圆偏振波磁场而作为核磁共振信号。利用RF线圈来检测该信号，并实施信号处理而使生物体内的氢原子核分布图像化。照射高频磁场的RF线圈要求有均匀的照射强度分布和高的照射效率。照射强度分布在进行图像化的区域中，期望区域内的照射强度相对于区域内的照射强度的最大值为70％以上。这是由于当照射强度分布的不均匀较大时，因被检体内的部位的不同而核自旋的激发状态产生差异，从而在得到的图像中产生对比度的不均或人为因素。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.17 JP 2010-1825021.一种高频线圈，其具备筒状的高频屏蔽体、第一高频线圈及第二
高频线圈，其特征在于，
所述第一高频线圈及所述第二高频线圈具备两个部分筒状线圈，所述
两个部分筒状线圈在所述高频屏蔽体的内侧沿周向隔开间隔配置且分别
夹着所述高频屏蔽体的中心轴而对置，
所述部分筒状线圈分别具备：
与所述中心轴同轴的部分筒状导体；
配置在所述部分筒状导体的内侧，且与所述中心轴实质上平行的多个
第一导体；
将所述第一导体的两端分别与所述部分筒状导体连接的多个第一电
容器；以及
将所述第一导体的至少一方的端部与相邻的所述第一导体的端部短
路的一个以上的第二导体。
2.根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述高频屏蔽体为椭圆筒形状。
3.根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述高频屏蔽体为圆筒形状。
4.根据权利要求2所述的高频线圈，其特征在于，
所述各第一导体以随着从所述椭圆筒形状的中心轴朝向长轴方向而
与所述高频屏蔽体内壁的距离变小的方式配置。
5.根据权利要求2所述的高频线圈，其特征在于，
所述各第一导体以距所述高频屏蔽体内壁的距离相等的方式配置。
6.根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述部分筒状导体与所述高频屏蔽体为一体。
7.根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述高频屏蔽体及所述部分筒状导体具有使倾斜磁场通过而屏蔽高
频磁场的结构。
8.根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
还具备对所述第一高频线圈与所述第二高频线圈之间的磁耦合进行
调整的磁耦合调整机构。
9.根据权利要求8所述的高频线圈，其特征在于，
所述磁耦合调整机构具备插入有至少一个第二电容器的导体环，
所述导体环配置在所述第一高频线圈和所述第二高频线圈之间的多
个间隙中的相对于所述中心轴处于轴对称的位置的一对间隙内，
将所述第二电容器的值调整为，防止所述第一高频线圈与所述第二高
频线圈之间的磁耦合。
10.根据权利要求8所述的高频线圈，其特征在于，
所述磁耦合调整机构具备将第三电容器和调整用电感器串联连接而
成的多个磁耦合调整用电路，
所述磁耦合调整电路配置在所述第一高频线圈和所述第二高频线圈
之间的多个间隙中的相对于所述中心轴处于轴对称的位置的一对间隙内，
所述第三电容器与所述第一导体的端部连接，
所述调整用电感器与所述部分筒状导体连接，且以在与所述第一高频
线圈及所述第二高频线圈分别连接的所述调整用电感器之间相互产生磁
耦合的方式配置，
将所述调整用电感器的相互感应的值和所述第三电容器的值调整为，
防止所述第一高频线圈与所述第二高频线圈之间的磁耦合。
11.根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
将使由倾斜磁场产生的涡流不通过而使高频电流通过的涡流防止用
电容器插入到所述第一导体及所述第二导体中的至少一方。
12.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：五月女悦久，尾藤良孝，竹内博幸，高桥哲彦，越智久晃，羽原秀太，
申请(专利权)人：株式会社日立医疗器械，
类型：
国别省市：
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