倾斜结构体、倾斜结构体的制造方法、及分光传感器技术

本发明专利技术涉及倾斜结构体、倾斜结构体的制造方法、及分光传感器。所述倾斜结构体的制造方法包括：工序（a），在基板的上方形成牺牲膜；工序（b），形成第一膜，所述第一膜包括与基板连接的第一部分、位于牺牲膜的上方的第二部分、位于第一部分及第二部分之间的第三部分，并且第三部分的一部分、或者在第二部分和第三部分的边界部分处，具有与第一部分相比膜厚较薄的区域；工序（c），去除牺牲膜；工序（d），在工序（c）之后，在膜厚较薄的区域处使第一膜弯曲，并使第一膜的第二部分相对于基板而倾斜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微小的倾斜结构体、倾斜结构体的制造方法、及使用了该倾斜结构体的分光传感器。
技术介绍
在医疗、农业、环境等领域中，为了实施对对象物的诊断和检查，而使用分光传感器。例如，在医疗领域中，使用了利用血红蛋白的光吸收来对血氧饱和度进行测定的脉搏氧饱和度仪。另外，在农业领域中，使用了利用糖分的光吸收来对果实的糖度进行测定的糖度 计。在下述的专利文献I中，公开了一种光谱成像传感器，其通过由对干涉滤光片和光电转换元件之间进行光学连接的光纤来对入射角度进行限制，从而对向光电转换元件的透过波长频带进行限制。但是，在现有的分光传感器中，难以实现小型化。例如，为了制造小型的分光传感器，需要求形成微小的倾斜结构体。但是，在现有的技术中，难以制造微小的结构体。专利文献I:日本特开平6-129908号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于以上这种技术课题而完成的。本专利技术的几个方式涉及如下内容，SP，提供微小的倾斜结构体、微小的倾斜结构体的制造方法、及使用了该倾斜结构体的分光传感器。在本专利技术的几个方式中，倾斜结构体的制造方法包括工序(a)，在基板的上方形成牺牲膜；工序(b)，形成第一膜，其中，所述第一膜包括与基板连接的第一部分、位于牺牲膜的上方的第二部分、和位于第一部分及第二部分之间的第三部分，并且，第三部分的一部分、或者在第二部分与第三部分的边界部分处，具有与第一部分相比膜厚较薄的区域；工序(C)，去除牺牲膜；工序(d)，在工序(C)之后，于膜厚较薄的区域处使第一膜弯曲，从而使第一膜的第二部分相对于基板而倾斜。根据该方式，能够通过与半导体加工工艺亲和性较高的工序，容易地制造微小的倾斜结构体。在上述方式中，优选为，还包括工序(e )，所述工序(e )为，在工序(a )和工序(b )之间，通过对牺牲膜进行图案形成，从而使用于形成有第一膜的第三部分的、牺牲膜的侧面露出的工序。据此，通过在形成了牺牲膜后对其进行图案形成，从而能够在基板上的任意位置处形成倾斜结构体。在上述方式中，优选为，工序(b)为下述的工序，S卩，通过使第一膜堆积，且在第二部分与第三部分的边界部分处形成突出物，从而在第三部分中与突出物相比靠下方的部分处，形成膜厚较薄的区域。据此，能够通过较少的エ序来形成膜厚较薄的区域。在上述方式中，优选为，通过エ序(a)而被形成的牺牲膜包括第一层、和位于第一层的上方的第二层，エ序(e)为下述的エ序，S卩，使用对第一层的蚀刻速率大于对第二层的蚀刻速率的蚀刻液或蚀刻气体，来使牺牲膜的侧面露出。据此，能够容易地形成突出物及膜厚较薄的区域。在上述方式中，优选为，エ序(b)为下述的エ序，即，通过利用等离子体化学气相沉积法而形成第一膜，从而在第二部分与第三部分的边界部分处形成膜厚较薄的区域。据此，能够通过较少的エ序来形成膜厚较薄的区域。在上述方式中，优选为，エ序(d)包括向第一膜和基板之间供给液体，之后去除液体的エ序。 据此，能够在不向第一膜施加強迫的力的条件下，使第一膜弯曲，从而使第一膜的第二部分相对于基板而傾斜。在上述方式中，还可以包括エ序(f)，所述エ序(f)为，在エ序(d)之后，向第一膜和基板之间填充成为第二膜的材料的エ序。据此，通过形成第二膜，从而能够对倾斜结构体的光学特性进行调节。在上述方式中，还可以包括エ序(g)，所述エ序(g)为，在エ序(f)之后，去除第一膜的エ序。据此，由于去除第一膜，因此能够提高第一膜的材料选择的自由度。在本专利技术的另ー个方式中，倾斜结构体包括第一部分，其与基板的第一面连接；第二部分，其相对于基板的第一面而傾斜；第三部分，其对第一部分及第二部分进行连接，且具有与第一部分及第二部分相比膜厚较薄的区域。根据该方式，能够制造使用了微小的倾斜结构体的有用的光学元件。在本专利技术的另ー个方式中，分光传感器包括角度限制滤光器，其对穿过的光的入射方向进行限制；多层膜，其根据入射方向而对透过的光或反射的光的波长进行限制；上述的倾斜结构体，其对穿过角度限制滤光器的光的入射方向、和多层膜的层压方向之间的倾斜角度进行规定；受光元件，其对穿过角度限制滤光器且在多层膜中透过或反射的光进行检测。根据该方式，通过使用上述的倾斜结构体，从而能够制造小型的分光传感器。并且，上方是指，以基板的表面为基准而与朝向背面的方向相反的方向。附图说明图I为表示第一实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图2为表示第一实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图3为表示第一实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图4为表示第二实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图5为表示第二实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图6为表示第二实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图7为表示第三实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图8为表示第三实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图9为表示第四实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图10为表示第四实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图11为表示第四实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。图12为表示实施方式所涉及的分光传感器的第一示例的剖视图。图13为表示实施方式所涉及的分光传感器的第二示例的剖视图。具体实施例方式以下，对本专利技术的实施方式进行详细的说明。并且，以下说明的本实施方式并不是对权利要求所述的本专利技术的内容进行不适当的限定。另外，本实施方式中所说明的全部结构不一定是作为本专利技术的解决方法所必须的。另外，对相同的结构要素标记相同的参照符 号，并省略其说明。I.第一实施方式图I至图3为，表示本专利技术的第一实施方式所涉及的倾斜结构体的制造方法的剖视图。该实施方式所涉及的制造方法为，通过应用半导体加工工艺技术，从而容易实现低成本以及微小化的方法。1-1.对牺牲膜进行成膜首先，如图I (A)所示，在基板10上，对牺牲膜20进行成膜。基板10既可以为例如二氧化硅(SiO2)的基板，也可以为在二氧化硅的基板上形成了后文所述的角度限制滤光器的基板。作为牺牲膜20，例如可采用氮化硅(SiN)膜等。接着，如图I (C)所示，在牺牲膜20上对抗蚀剂膜21进行成膜，并通过曝光及显影，从而将抗蚀剂膜21图案形成为预定形状(例如矩形形状)。接着，如图I (D)如所示，将抗蚀剂膜21作为蚀刻掩膜，而对牺牲膜20进行蚀刻。由此，牺牲膜20被图案形成为与上述预定形状相同的形状(例如矩形形状)。而后，去除抗蚀剂膜21。1-2.对第一膜成膜进行成膜接着，如图I (E)所示，以覆盖通过图I (D)所示的工序而露出的基板10的上表面、通过图I(D)所示的工序而露出的牺牲膜20的上表面以及牺牲膜20的侧面的方式，对成为构成倾斜结构体的膜的第一膜11进行成膜。第一膜11例如通过包括阴极真空喷镀法和真空蒸镀法在内的PVD (physical vapor deposition :物理气相沉积)法、或CVD (chemicalvapor deposition :化学气相沉积)法而成膜。作为第一膜11，例如可采用二氧化娃膜等。第一膜11包括沿着基板10的上表面的第一部分11a、沿着牺牲膜20的上表面的第二部分lib、以及沿着牺牲膜20的侧面的第三部分11c。此时，在第一膜11中第二部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倾斜结构体的制造方法，其包括：工序（a），在基板的上方形成牺牲膜；工序（b），形成第一膜，所述第一膜包括：与所述基板连接的第一部分、位于所述牺牲膜的上方的第二部分、和位于所述第一部分及所述第二部分之间的第三部分，并且，所述第三部分的一部分、或者在所述第二部分与所述第三部分的边界部分处，具有与所述第一部分相比膜厚较薄的区域；工序（c），去除所述牺牲膜；工序（d），在所述工序（c）之后，于所述膜厚较薄的区域处使所述第一膜弯曲，从而使所述第一膜的所述第二部分相对于所述基板而倾斜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉澤隆彦，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：