光刻胶剥离液废液的回收方法技术

技术编号:8383117 阅读:748 留言:0更新日期:2013-03-07 00:02
本发明专利技术提供了一种光刻胶剥离液废液的回收方法,特别是指将半导体基材上残留的光刻胶除去后的光刻胶剥离液废液的回收方法。本发明专利技术首先采用适量的水在酸性条件下分两个步骤沉淀光刻胶主要成分线性酚醛树脂,得到可再次作为光刻胶使用的线性酚醛树脂;然后利用活性炭吸附脱色并除去金属离子;最后经两步式减压蒸馏,除去水分等低沸物质,回收得到纯的光刻胶剥离液。该方法工艺简单,避免了使用昂贵的耐有机溶剂过滤膜或过滤器,有利于工业化大规模回收光刻胶剥离液废液,降低光刻胶剥离液和光刻胶的使用成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,特别是指将TFT-IXD基板上经显影后的光刻胶除去的。
技术介绍
随着国内电子制造产业的迅速发展,光刻胶剥离液等电子化学品的使用量也大为増加。通常在印刷电路板,液晶显示面板,半导体集成电路等エ艺制造过程中,需要通过多次图形掩膜照射曝光及蚀刻等エ序在硅晶圆或玻璃基片上形成多层精密的微电路,形成微电路之后,进ー步用光刻胶剥离液(stripper)将涂覆在微电路保护区域上作为掩膜的光刻胶除去。エ业上所使用的光刻胶剥离液主要是有机胺和极性有机溶剂的组合物,通过溶胀和溶解方式剥离除去光刻胶。上述机胺可包括单こ醇胺(MEA),ニ甲基こ酰胺(DMAC), N-甲基甲酰胺(NMF),N-甲基ニこ醇胺(MDEA)等。上述极性有机溶剂可包括ニこニ醇甲醚(DGME),ニこニ醇单丁醚(BDG),ニ甲亚砜(DMS0),羟こ基哌嗪(NEP)等。光刻胶剥离液大量使用的同时也产生大量光刻胶剥离液废液。光刻胶剥离液废液中除了含有少量高分子树脂和光敏剂外,大部分是有再利用价值的光刻胶剥离液。美国专利US7273560公布了包含单こ醇胺与ニこニ醇单丁醚组合的光刻胶剥离液废液中含有19. 3%的单こ醇本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶剥离液废液的回收方法,其特征在于包括如下步骤:步骤一,向光刻胶剥离液废液中加入高纯水,搅拌混合,将产生的沉淀过滤分离,得到固相的线性酚醛树脂和液相的一级滤液;步骤二,向所述一级滤液中加入酸性物质,将其pH值调至1~7,把产生的沉淀过滤分离,得到固相的线性酚醛树脂和液相的二级滤液;步骤三,通过吸附剂对所述二级滤液进行处理,吸附脱色并除去金属离子,得到初级再生液;步骤四,对所述初级再生液进行减压蒸馏处理,得到光刻胶剥离液。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:魏任重徐雅玲黄源尹云舰连杰
申请(专利权)人:杭州格林达化学有限公司
类型:发明
国别省市:

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