本发明专利技术提供放射线检测器和放射线图像摄影装置，它们可以在不使成本上升的情况下，提高所得到的放射线图像的品质。在放射线检测器(20)中，从TFT基板(30)的一个面照射放射线，从另一面照射由第1光和第2光中的至少任意一种构成的光，并且将闪烁体(8A)层积于TFT基板(30)的所述另一面上，将闪烁体(8B)层积于闪烁体(8A)的与TFT基板(30)相反一侧的面上，TFT基板(30)具有产生与所述光对应的电荷的第1光电转换元件和用于读出由所述第1光电转换元件产生的电荷的第1开关元件，闪烁体(8A)产生与隔着TFT基板(30)所照射的放射线对应的第1光、并且通过含有柱状结晶而构成，闪烁体(8B)产生与隔着闪烁体(8A)所照射的放射线对应的第2光、并且所吸收的放射线的能量特性与闪烁体(8A)不同。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及放射线检测器和放射线图像摄影装置，特别涉及用于检测所照射的放射线的放射线检测器、和对由该放射性检测器检测出的放射线所显示的放射线图像进行摄影的放射线摄影装置。
技术介绍
近年来，FPD(Flat Panel Detector (平板检测器))等放射线检测器已经投入了实际使用，在FPD中，在TFT (Thin Film Transis tor (薄膜晶体管))有源矩阵基板上设置有放射线敏感层，可以将X射线等放射线直接转换为数字数据。与以往的使用X射线膜或成像板的放射线图像摄影装置相比，使用了该放射线检测器的放射线图像摄影装置具有能够即时确认图像、也能够进行连续摄影放射线图像的透视摄影(动态图像摄影)这样的优点。对于这种放射线检测器提出了各种类型，例如有间接转换方式，其中，利用CsI:Tl、G0S(Gd202S:Tb)等闪烁体将放射线暂时转换成光，然后利用光电二极管等传感部将所转换的光转换成电荷并蓄积这些电荷。在放射线图像摄影装置中，读出蓄积在放射线检测器中的电荷作为电信号，利用增幅器对读出的电信号进行增幅后，利用A/D (模拟/数字)转换部转换成数字数据。然而，为了降低对被检测者(患者)的辐射量，以往存在有下述放射线检测器，该放射线检测器具有包含感度较高的柱状结晶的荧光体层(闪烁体)。在该技术中，为了增加基于柱状结晶的放射线的吸收量，作为一个示例，由日本特开2008-51793号公报的图11可知，需要使闪烁体层的膜厚相当厚。但是，对于增加闪烁体层的膜厚，除了成本上升这样的问题之外，还存在下述问题膜厚越厚，则越需要提高柱状结晶的初期部(根的部分)中的空隙率，结果会使该初期部处的发光量下降。S卩，在柱状结晶的蒸镀中，柱径是以预定的波动而变化的，因此膜厚越厚，上述波动的最大值发生的概率越高，结果使柱状部彼此接触的可能性变高。而且,柱状部彼此一旦接触则熔合的可能性高，这会导致图像虚化。另外，柱状部的长度也具有预定的波动，并且若在蒸镀的基材上存在异物等的附着，则膜厚越厚，异常生长的柱状部的长度也越长。因此，在蒸镀的工序后，需要通过对异常生长的柱状部挤压等来降低其长度的工序，使制造工序变得复杂。并且，因挤压，有时也会对异常生长的周围的正常的柱状部造成损伤。因此，为了防止上述熔合，在增加闪烁体层的膜厚的情况下，为了防止上述熔合、防止针对柱状部的异常生长的工序的复杂化、正常生长的柱状部的损伤，需要提前降低柱状结晶的填充率(提高初期部的空隙率)。例如，在国际专利公开W02010/007807号说明书中公开了，在柱状结晶的闪烁体层的膜厚为100 μ m 500 μ m以上的情况下，所公开的闪烁体的柱状结晶的填充率为75% 90%。另外，日本特开2006-58099号公报中公开了，在柱状结晶的闪烁体层的膜厚为500 μ m以上的情况下，所公开的闪烁体的柱状结晶的填充率为70% 85%。作为能够用于解决以上问题的技术，在专利文献I中为了提供一种清晰度优异且检测效率高的放射线数字图像摄影装置而公开了一种放射线数字图像摄影装置，其具有由荧光体颗粒和粘合剂树脂构成的荧光体层，其特征在于，所述荧光体层由以平板构成的第I荧光体层和大致柱状的第2荧光体层构成，所述第2荧光体层按照与所述第I荧光体层相接的方式设置，并且与各像素对应设置。需要说明的是，在专利文献I中，公开了下述结构从照射放射线的一侧，依次层积有大致柱状的第2荧光体层、平板状的第I荧光体层和设置有光电转换元件的基板。另外，在专利文献2中，为了提供一种在提高光转换效率的同时，能够取得高画质·的图像的放射线图像检测器而公开了一种放射线图像检测器，其是层积有波长转换层和检测器的放射线图像检测器，所述波长转换层含有受到放射线的照射而能够将该放射线转换成更长波长的光的荧光体，所述检测器能够检测出由该波长转换层转换得到的光并将该光转换为表示放射线图像的图像信号，该放射线图像检测器的特征在于，所述波长转换层至少层积有第I荧光体层和第2荧光体层这两个层，从所述检测器侧依次配置有所述第2荧光体层和所述第I荧光体层，所述第I荧光体层含有将由该第I荧光体层转换得到的光进行吸收的吸收剂。需要说明的是，在专利文献2中，公开了下述结构从照射放射线的一侧，依次层积了设置有光电转换元件的基板、由GOS构成的平板状的第2荧光体层、和由CsI构成的柱状的第I荧光体层。现有技术文献专利文献专利文献I:日本特开2002-181941号公报专利文献2:日本特开2010-121997号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，在上述专利文献I所公开的技术中，将感度较高的大致柱状的第2荧光体层配置于放射线的入射侧，但由于由该第2荧光体层发出的光隔着平板状的第I荧光体层而被基板接收，因此存在不一定能够得到高画质这样的问题。另外，对于上述专利文献2所公开的技术，来自感度较高的柱状的第I荧光体层的光隔着平板状的第2荧光体层而被基板接收，因此与上述专利文献I所公开的技术同样地存在不一定能够得到高画质的问题。本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的为提供一种放射线检测器和放射线图像摄影装置，该放射线检测器和放射线图像摄影装置可以在不使成本上升的情况下，提高所得到的放射线图像的品质。用于解决问题的手段为了达成上述目的，方案I所述的放射线检测器具备基板，从该基板一面照射放射线，从另一面照射光，该基板具有第I光电转换兀件和第I开关元件，所述第I光电转换元件产生与光对应的电荷，所述第I开关元件用于读出由第I光电转换元件产生的电荷；第I荧光体层，该第I荧光体层层积于基板的另一面，产生与隔着基板所照射的放射线对应的光，并且，该第I荧光体层通过含有柱状结晶而构成；和第2突光体层,该第2突光体层层积于第I突光体层的与基板相反的一侧的面上，产生与隔着第I荧光体层所照射的放射线对应的第2光，并且，该第2荧光体层吸收的放射线的能量特性与第I荧光体层不同；从另一面照射的光由第I光和第2光中的至少任意一种构成。根据方案I所述的放射线检测器，从基板的一面照射放射线，从另一面照射由第I光和第2光中的至少任意一种构成的光，并且所述基板具有产生与光对应的电荷的第I光电转换元件、和用于读出由第I光电转换元件产生的电荷的第I开关元件，在所述基板的另一面上层积有第I荧光体层，在第I荧光体层的与基板相反一侧的面上层积有第2荧光体层，所述第I荧光体层产生与隔着基板所照射的放射线对应的第I光、并且是通过含有柱状结晶而构成的，所述第2荧光体层产生与隔着第I荧光体层所照射的放射线对应的第2光、并且吸收的放射线的能量特性与第I荧光体层不同。 S卩，本专利技术中，按照基板、第I荧光体层、第2荧光体层的顺序进行了层积，另一方面，从基板侧照射放射线；对于第I荧光体层，与基板层积的一侧的面比其他面的发光强。因此，与从第2荧光体层侧照射放射线的情况相比，第I荧光体层的发光位置靠近基板，因此可以提高由摄影所得到的放射线图像的分辨率，结果可以提高所得到的放射线图像的品质。另外，在本专利技术中，由第2荧光体层产生的第2光通过由第I荧光体层的柱状结晶产生的导光功能而被有效地引导至基板，因此从该点考虑，也能够提高放射线图像的品质。进一步，在本专利技术中，能够使第2荧光体层吸收在第I荧光体层中无本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种放射线检测器，其中，该放射线检测器具备：基板，从该基板一面照射放射线、从另一面照射光，该基板具有第1光电转换元件和第1开关元件，所述第1光电转换元件产生与所述光对应的电荷，所述第1开关元件用于读出由所述第1光电转换元件产生的电荷；第1荧光体层，该第1荧光体层层积于所述基板的所述另一面上，产生与隔着基板所照射的放射线对应的第1光，并且，该第1荧光体层通过含有柱状结晶而构成；和第2荧光体层，该第2荧光体层层积于所述第1荧光体层的与所述基板相反的一侧的面上，产生与隔着所述第1荧光体层所照射的放射线对应的第2光，并且，该第2荧光体层吸收的放射线的能量特性与所述第1荧光体层不同；从所述另一面照射的光由所述第1光和所述第2光中的至少任意一种构成。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：西纳直行，岩切直人，中津川晴康，佐藤圭一郎，大田恭义，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。