具有串联布置的JFET的开关装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种开关装置，用于切换第一端子与第二端子之间的电流，包括至少两个JFET(J1-Jn)的串联电路，其中上方JFET(J2-Jn)串联连接到最下方JFET(J1)，并且其中用于稳定JFET(J1-Jn)的栅极电压的线路网络连接在第二端子(2)和第一端子(1)之间。一个附加电路（5）连接在每个上方JFET(J2-Jn)的栅极端子(GJ2,GJ3...GjN)与线路网络的二极管(DAV)的对应的阴极端子之间。在接通期间以及接通状态中，所述附加电路使各个栅极端子的电势高于对应的源极端子的电势。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子开关
，尤其涉及根据本申请的权利要求I和9的前序部分具有结型JFET (结型场效应晶体管)串联布置的开关装置。
技术介绍
在电力电子电路中通过以级联或串行布置晶体管的方式可以实现在高工作电压下转换的电力开关或开关装置。由此，根据US6，822，842或DE19926109A1，这种开关装置例如为共发共基放大器电路，并且基于如图I中所示的一个MOSFET M和至少一个JFET Jl 的特定布置。开关被布置在第一端子I和第二端子2之间，并由MOSFET M的控制线路3控制。这种已知的用于高工作电压的基于共发共基放大器拓扑布置的开关装置设计了一种具有若干串联的JFET J2... Jn的线路，且因此获得了高的截止电压。电路网络4被连接到第一端子I和第二端子2之间，用于无源地控制由串联布置的晶体管构成的电力开关的动态截止电压分布，其中电路网络4的雪崩二极管DAV，i-DAV，n连接在JFET的栅极端子之间。公开出版物“Balancing Circuit for a 5kV/50ns Pulsed Power Switch Based on SiC-JFET Supe本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.07 CH 500/101.一种开关装置，用于切换第一端子(I)和第二端子(2)之间的电流，包括串联布置的至少两个JFET(J1-Jn),其中最下方的JFET(J1)连接到所述第一端子(I)，或者最下方的JFET (J1)以共发共基放大器布置通过控制开关(M)连接到所述第一端子(1)，其他上方JFET(J2-J5)中的一个或多个串联连接到最下方JFET(J1),其中距离最下方 JEFT (J1)的距离最远的JFET (Jn)被称为最上方JFET (Jn)，其漏极端子连接到所述第二端子 ⑵，以及其中用于动态激发JFET (J1-Jn)的栅极电压的无源电路网络⑷连接在JEFT (J1-Jn)的栅极端子与所述第一端子(I)之间，其中所述每两个相邻JFET的栅极之间电路网络(4)包括工作在截止方向的二极管(Dav,I，Dav,2，· · · ^av,η) 其特征在于，附加电路(50)连接到所述上方JFET(J2，J3，…，Jn)的所述栅极端子 (GpGyGln)与所述电路网络(4)的所述二极管的阴极端子(KDAV，2, Kdav^KdavH)之间，或者连接到所述电路网络⑷的所述二极管的阳极端子与指定的JFETCL，^···，^的所述栅极端子(Gj2，GyGjn)之间，在动态接通以及静态接通状态中，所述附加电路使各个栅极端子上的电势相对于对应的源极端子(S12，S13，一，Sln)被保持为高。2.根据权利要求I所述的开关装置，其中具有所述附加电路(5)的所述电路网络(4) 中充电电流通过所述附加电路(5)从JFET(J1-Jn)的栅极端子流到电路网络⑷的各个指定的储能元件，从而实现串联连接的JFET的动态稳定。3.根据权利要求I或2所述的开关装置，其中所述附加电路(5)与所述电路网络⑷一起实现所述JFET(J1-Jn)的栅极端子的对称电压负载，另外当接通时以及处于接通状态时， 通过使在有附加电路的情况下保持各个栅极端子上的电势高于没有附加电路的情况，从而实现了所述上方JFETs (J2-Jn)完全的接通行为。4.根据前述权利要求中任一项所述的开关装置，其中所述附加电路(5)包括一个或多个串联并处于截止方向工作的二极管(Dz，P DyDzH),所述二极管I，DyDzH)位于所述栅极端子...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·艾格勒，J·比埃拉，J·W·科拉尔，
申请(专利权)人：ETH苏黎世公司，
类型：
国别省市：