用于形成构成金属基底基板的树脂层的树脂组合物、金属基底基板以及金属基底基板的制造方法技术

一种树脂组合物，是用于形成金属基底基板中的所述树脂层的树脂组合物，所述金属基底基板具备金属板、金属箔、以及配置在所述金属板与所述金属箔之间的树脂层，所述树脂组合物包含：（A）重均分子量为4.0×104～4.9×104的双酚A型苯氧基树脂、（B）无机填充剂和（C）硅烷偶联剂；将树脂组合物总体中的（C）硅烷偶联剂的含量设为c质量%、将树脂组合物总体中的（B）无机填充剂的含量设为b质量%时，满足5×10-2＜c-（b×1/100）＜11。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成构成金属基底基板的树脂层的树脂组合物、金属基底基板以及金属基底基板的制造方法。
技术介绍
近年，安装高发热性电子部件的电路基板要求具有热耗散性。其中，电路基板可使用在金属板上形成有绝缘层和金属箔的金属基底基板。将该金属箔通过蚀刻形成导体电路，从而得到电路基板。另一方面，对于车载用电子设备而言，迫切期望使其小型化、省空间化，并且将电子设备设置在发动机室内。发动机室内为温度高且温度变化大等严酷的环境，并且需要放热面积大的基板。对于这种用途，放热性更进一步优异的金属基底基板备受关注。作为这种技术，记载在专利文献I 3中。专利文献I和2中记载了使用含有丙烯酸树脂的树脂层。另外，专利文献3中记载了使用含有有机硅树脂的树脂层。专利文献I:日本特开平9-8426号公报专利文献2:日本特开平10-242606号公报专利文献3:日本特开2005-281509号公报
技术实现思路
专利技术人等进行了研究，结果发现在上述现有技术的金属基底基板中，金属板与树脂层的密合性、热循环性以及绝缘电阻性的平衡具有改善的余地。本专利技术包含以下内容。[I]一种树脂组合物，是用于形成金属基底基板中的树脂层的树脂组合物，所述金属基底基板具备金属板、金属箔、以及配置在上述金属板与上述金属箔之间的树脂层，所述树脂组合物包含(A)重均分子量为4. OX IO4 4. 9 X IO4的双酚A型苯氧基树脂，(B)无机填充剂，和(C)硅烷偶联剂；将上述(C)硅烷偶联剂的相对于上述树脂组合物的总计量100质量％的含量设为c质量%,将上述(B)无机填充剂的相对于上述树脂组合物的总计量100质量％的含量设为 b质量％时，满足5X1(T2 < C- (bXl/100) < 11。[2]如[I]中记载的树脂组合物，上述金属板为铝板。[3]如[I]或[2]记载的树脂组合物，上述无机填充剂为氢氧化铝或氧化铝。[4]如[I] [3]中任一项记载的树脂组合物，相对于上述树脂组合物的总计值100 质量％，上述苯氧基树脂的含量为10重量％ 40重量％。[5]如[I ] [4]中任一项记载的树脂组合物，还包含环氧树脂。[6]如[5]记载的树脂组合物，上述环氧树脂为(D)双酚A型环氧树脂。[7]一种金属基底基板，具备金属板、金属箔、以及配置在上述金属板与上述金属箔之间的树脂层，上述树·脂层为[I] [6]中任一项记载的树脂组合物。[8]如[7]记载的金属基底基板，在121°C、湿度100%、96小时的条件下的PCT处理后的绝缘电阻值/PCT处理前的绝缘电阻值为10_3 10'[9]—种金属基底基板的制造方法，具有以下工序准备未用硅烷偶联剂进行表面处理的金属板的工序，在上述未用硅烷偶联剂进行表面处理的金属板的至少一面上形成树脂层的工序， 和在上述树脂层上形成金属箔的工序；上述树脂层包含(A)重均分子量为4. O X IO4 4. 9 X IO4的双酚A型苯氧基树脂，(B)无机填充剂，和(C)娃烧偶联剂；将上述(C)硅烷偶联剂的相对于上述树脂组合物的总计量100质量％的含量设为c质量%,将上述(B)无机填充剂的相对于上述树脂组合物的总计量100质量％的含量设为 b质量％时，满足5X1(T2 < C- (bXl/100) < 11。[10]如[9]记载的金属基底基板的制造方法，上述(B)无机填充剂包含平均粒径D5tl为 3 μ m 5 μ m的单分散的氧化招。专利技术的效果根据本专利技术，可实现金属板与树脂层的密合性、热循环性、以及绝缘电阻性的平衡优异的金属基底基板。具体实施方式对本专利技术的树脂组合物进行说明。本专利技术的树脂组合物是用于形成金属基底基板中的树脂层的树脂组合物，上述金属基底基板具备金属板、金属箔、以及配置在这些金属板与金属箔之间的树脂层。这样的树脂组合物包含(A)重均分子量为4. OX IO4 4. 9 X IO4的双酚A型苯氧基树脂、(B)无机填充剂、以及(C)硅烷偶联剂，并且，满足5X10_2 < c- (bX 1/100) < 11而特定。以下进行详述。(A)重均分子量为4. OX IO4 4. 9 X IO4的双酚A型苯氧基树脂(以下，有时仅称为“(A)苯氧基树脂”)是指(A)在苯氧基树脂的结构中具有二苯基丙烷结构的化合物，只要重均分子量为4. OX IO4 4. 9 X IO4则没有特别限定。(A)通过在树脂层中包含苯氧基树脂，从而不仅能够提高树脂层与金属板的密合性，而且还能够在冲压时改善流动性，无空隙等地成型。另外，通过分子量为4. OX IO4 4.9 X IO4,从而得到如下效果。第1，能够低弹性模量化，并且在金属基底基板中使用时应力缓和性也变得优异。 例如，利用使用了本专利技术的树脂组合物而成的金属基底基板，制造安装了电子部件等的半导体装置时，该半导体装置在急剧加热/冷却的环境下，也能够抑制在将金属基底基板与电子部件接合的焊接接合部或其附近产生裂纹等不良。另外，通过使(A)苯氧基树脂的重均分子量为4. OX IO4以上，从而能够充分地进行低弹性模量化，并且在半导体装置中使用时，在急剧加热/冷却下，不易在焊接接合部或其附近产生裂纹。这样，能够提高金属基底基板的热循环特性。另外，通过使(A)苯氧基树脂的重均分子量为4. 9 X IO4以下，从而能够抑制因粘度上升而冲压时的流动性变差并产生空隙等，提高金属基底基板的绝缘可靠性。这样，能够提高金属基底基板的绝缘特性。优选(A)苯氧基树脂的含量为树脂组合物总体的10 40重量％ (以下，“ ”只要没有特别明示就表示包含上限值和下限值)。通过使(A)苯氧基树脂的含量为10重量％以上，从而充分地得到降低弹性模量的效果，在金属基底基板中使用时的应力缓和性优异，即使受到急剧的加热/冷却也能够抑制在焊接或其附近产生裂纹。通过使(A)苯氧基树脂的含量为40重量％以下，从而能够抑制冲压时的流动性变差、空隙等产生，能够提高金属基底基板的绝缘可靠性。应予说明，树脂组合物总体意味着，例如是使用了溶剂等的清漆时除溶剂之外的固体，液态环氧树脂、偶联剂等液态成分包含在树脂组合物中。(B)无机填充剂没有特别限定，例如，可举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、 硅酸钙、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅、碳化硅等。从高热传导性的观点出发，在这些无机填充剂中优选氧化铝、氮化铝、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅。进一步优选氧化铝。从高热传导性、而且耐热性、绝缘性的角度出发，优选使用氧化铝。另外，从离子性杂质少的角度出发，优选结晶二氧化硅或非晶二氧化硅。能够制造绝缘可靠性优异的金属基底基板。从在压力锅试验等的水蒸气气氛下绝缘性高，金属、铝线、铝板等的腐蚀少的角度出发，优选结晶二氧化硅或非晶二氧化硅。另一方面，从阻燃性的观点出发，优选氢氧化铝、氢氧化镁。此外，从熔融粘度调整、赋予触变性的目的出发，优选氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、结晶二氧化硅、非晶二氧化硅。(B)无机填充剂的含量没有特别限定，优选为树脂组合物总体的40 70重量％。 通过使(B)无机填充剂的含量为40重量％以上，从而能够降低热电阻，得到充分的放热性。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.22 JP 2010-1411691.一种树脂组合物，其特征在于，是用于形成金属基底基板中的树脂层的树脂组合物， 所述金属基底基板具备金属板、金属箔、以及配置在所述金属板与所述金属箔之间的树脂层，所述树脂组合物包含(A)重均分子量为4.OX IO4 4. 9 X IO4的双酚A型苯氧基树脂，(B)无机填充剂，和(C)娃烧偶联剂；将所述(C)硅烷偶联剂的相对于所述树脂组合物的总计量100质量％的含量设为C质量％，将所述(B)无机填充剂的相对于所述树脂组合物的总计量100质量％的含量设为b质量%时，满足5X10—2 < C- (bX 1/100) < 11。2.根据权利要求I所述的树脂组合物，其中，所述金属板为铝板。3.根据权利要求I或2所述的树脂组合物，其中，所述无机填充剂为氢氧化铝或氧化招。4.根据权利要求I 3中任一项所述的树脂组合物，其中，相对于所述树脂组合物的总计值100质量％，所述苯氧基树脂的含量为10 40重量％。5.根据权利要求I 4中任一项所述的树脂组合物，其中，还包含环氧树脂。6.根据权利要求5所述的树脂组合物，其中，所述环氧树脂为(D...

【专利技术属性】
技术研发人员：马场孝幸，飞泽晃彦，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：
国别省市：