【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于背反射电极制备工艺,特别是一种基于金字塔绒度形貌ZnO层的导电背反射电极。
技术介绍
随着人类社会的高速发展,对能源的需求也日益加剧。光伏电池,通过半导体材料特有的光电转换效应,直接利用清洁、取之不尽、用之不竭的太阳能资源,为人类带来了在不污染环境的前提上解决能源问题的最好的解决途径。以单晶硅或者多晶硅硅片为代表的第一代太阳能电池已得到了超过24%的效率,成为目前光伏市场的主力军。但是由于这些太阳电池的生产成本主要来自材料的损耗,例如单晶硅、多晶硅硅片以及封装材料等,大幅度降低生产成本变得相当不容易,这很有可能会限制这种太阳电池的大规模使用。在降低材料消耗的强烈需求下,薄膜太阳电池应运而生,其中以碲化镉、铜铟镓硒以及薄膜非晶硅、微晶硅太阳电池为代表。薄膜太阳电池不需要昂贵的硅片,并且可以大面积沉积在廉价·的玻璃、不锈钢、甚至塑料衬底上,所以被认为是一种非常有前途的产品。硅基薄膜太阳电池是薄膜太阳电池中最早被商业化生产的产品,其由地球上储备含量丰富、无毒的材料制造,而且可以在相当低的衬底温度下沉积,大大节省了生产过程中的能源消耗,所以被认为是一种有着 ...
【技术保护点】
一种基于金字塔绒度形貌ZnO层的导电背反射电极,其特征在于:由衬底、具有金字塔形貌的ZnO层、金属银层和ZnO界面层组成薄膜叠层结构,所述衬底为硬质衬底玻璃或不锈钢,或柔性衬底PEN、PET或PI;所述具有金字塔形貌ZnO层为本征ZnO或掺杂ZnO材料ZnO:Al、ZnO:Ga、ZnO:B、ZnO:H、ZnO:Mo、ZnO:W中的一种,金字塔绒度形貌ZnO层的均方根粗糙度为50?300nm、厚度为0.5?4μm;银薄膜层的厚度为70?500nm;ZnO界面层的薄膜厚度为70?500nm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张晓丹,赵颖,白立沙,赵慧旭,陈新亮,魏长春,张德坤,侯国付,
申请(专利权)人:南开大学,
类型:发明
国别省市:
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