【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁场测量方法,特别是一种利用磁通门传感器测量磁场的方法。
技术介绍
磁场探测在国防建设、科学研究、工业生产以及日常生活等领域都有广泛应用。在众多的磁测技术中,应用磁通门对弱磁场进行测量是现有众多弱磁测量方法中重要的一种方法。该方法的基本原理是利用法拉第电磁感应现象和磁芯材料的饱和现象,在足以使磁芯材料达到饱和的大驱动电信号作用下产生感生电动势输出,当待测磁场存在时,感生电动势输出的某些特征会发生变化,通过对感生电动势的有关特征变化的监测实现待测磁场的传感与测量。磁通门磁场测量方法的价值在于两点,一是要有足够高的灵敏度,能对微小磁场做高分辨率检测;二是检测方案要足够简单、和低的功耗,能够微型化以至于可以在卫星、导弹等关键设备上运行。影响磁通门传感器精度的关键因素在于噪声,它们主要来自环境背景噪声、传感器探头本身的噪声以及后续检测电路产生的噪声。当待测磁场的变化较小时,这种微小变化就会被噪声淹没而检测不到。如何处理好噪声问题,同时又能在技术上 简单方便的实现,是实现磁通门磁场测量的应用所面临的待解决的关键问题。目前,磁通门磁场测量方法主要有两种一种 ...
【技术保护点】
一种利用噪声驱动的磁通门传感器测量磁场的方法,包括:在磁通门的激励线圈中加入噪声η(t),获取有噪声驱动和待测磁场Hx的磁通门感生电动势输出v(t);通过感生电动势输出信号v(t)测得一段时间T内磁芯材料处于上饱和状态的累计时间处于下饱和状态的累计时间将处于上饱和状态的累计时间与处于下饱和状态的累计时间相减,得累计驻留时间差ΔT=ΣTB+-ΣTB-;标定所述累计驻留时间差ΔT与待测磁场Hx的关系,即可实现待测磁场的精密测量。FDA00002272597900011.jpg,FDA00002272597900012.jpg,FDA00002 ...
【技术特征摘要】
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