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本发明公开了一种利用噪声驱动的磁通门传感器测量磁场的方法，包括：（1）在磁通门的激励线圈中加入噪声，获取有噪声驱动和待测磁场的磁通门感生电动势输出；（2）通过感生电动势输出信号测得时间T内磁芯材料处于上饱和状态的累计时间和下饱和状态的累计时...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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