【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器生产
技术介绍
三氧化钥(MoO3)作为一种宽带隙过渡金属氧化物半导体，是钥系化合物中研究最深、应用最广的钥化合物，同时也是冶金过程中的一种重要中间产品，是生产钥粉、钥系化合物及钥基制品的重要原料。其在润滑剂工业、催化、光致及电致变色、气体传感、锂离子电池存储以及场效应装置等领域有着重要的应用价值。在过去的几十年里，MoO3薄膜在气体传感领域的应用研究引起了人们的广泛关注，并取得了良好的研究成果。随着纳米技术的发展，基于纳米此03材料的气体传感器开始 引起研究者的广泛关注。E. Comini等人采用气相沉积法制备了 MoO3纳米棒。并研究了该纳米棒传感器在200°C下对C2H5OH和CO气体的灵敏度。虽然该纳米棒传感器对乙醇和CO气体的灵敏度比较高，但其工作温度仍较高。Seong-Hyeon Hong等人采用溶剂热法制备了MoO2纳米晶，随后将其氧化成MoO3纳米颗粒，并研究了该MoO3纳米颗粒对H2S气体的传感性能。该MoO3纳米颗粒对H2S气体的灵敏度比传统MoO3粉末的高近100倍，但是传感器的工作温度仍然很高(300°C以上...
【技术保护点】
室温下对氢气与氧气快速响应的MoO3@Ag纳米线气体传感器的制备方法，将MoO3@Ag纳米线分散在二次去离子水中，然后在真空下抽滤得到MoO3@Ag纳米线薄膜，然后将MoO3@Ag纳米线薄膜在80℃下真空干燥，最后将纳米线薄膜制成MoO3@Ag纳米线传感器。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董文钧，沈金明，沈旸，
申请(专利权)人：江苏康宝电器有限公司，
类型：发明
国别省市：
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