一种暴露{110}面二氧化钛光催化材料及其制备方法技术

技术编号:8362635 阅读:261 留言:0更新日期:2013-02-27 18:41
本发明专利技术涉及一种{110}高能面暴露的二氧化钛光催化材料及其制备方法。所述光催化材料由暴露面为{101}、{001}和{110}面,且{110}所占比例高达20%。其制备方法包括以下步骤:(1)在水溶液体系中,加入钛源,并以双氧水及氢氟酸作为晶体生长的调节剂,在120~220℃下水热反应3~36小时,即可得到{110}面暴露的锐钛矿二氧化钛单晶;(2)通过水洗离心,高温煅烧除去溶液中的杂质离子;(3)用真空干燥箱对样品进行干燥,得到二氧化钛单晶光催化材料粉末。本发明专利技术具有制备过程简单、条件温和、后处理方便等优点,且本发明专利技术所制备的光催化剂对染料等有机污染物(罗丹明B)有较好的光催化降解活性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型特殊形貌的光催化材料及其制备方法,属于光催化

技术介绍
现代工业和科学技术的迅猛发展,一方面,极大地丰富了人们的物质文化生活,推动了人类社会的文明进步,同时又带来大量有毒有害污染物的产生和排放,特别是废气、废水中含有苯环、杂环、卤代化合物以及NOx、SOx等污染物的排放越来越多,破坏了人类赖以生存的大气、水源和土壤环境,严重影响了人类的正常生活与生产,甚至危及着人类的生存。目前,世界各国的政府部门、研究机构对环境污染问题的关注程度达到了前所未有的高度,许多国家投入了大量的人力和物力用于环境净化材料及环境治理技术的研究和开发。·1972年日本学者Fujishima和Honda在η型半导体二氧化钛(TiO2)单晶电极上发现水的光电催化分解现象;1976年S. N. Frank等将半导体材料用于光催化降解污染物,取得了突破性的进展。自此,半导体的光催化效应及其潜在的应用引起了人们的极大兴趣并得到了广泛的研究。纳米二氧化钛具有光化学性能稳定、无二次污染和价廉易得等优点,被认为是最具应用前景的光催化材料之一。大量研究表明,二氧化钛的催化活性与晶相结构、结晶度和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大面积{110}面暴露的二氧化钛光催化材料,其特征在于,所述催化剂为锐钛矿相二氧化钛单晶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:田宝柱李套云李艺茹张金龙王婷婷杨钒陈星熊天庆
申请(专利权)人:华东理工大学
类型:发明
国别省市:

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