【技术实现步骤摘要】
基于SW172x芯片的静电栓锁保护电路
本技术涉及电子电路
,具体涉及静电栓锁保护电路。
技术介绍
随着各种用电设备的大量使用,电网污染越来越严重,各种各样的强静电现象层出不穷。静电是一种看不见的破坏力,会对电子元器件产生影响,这样就对电表的可靠性提出了更高的要求。目前,伴随着IC工艺的发展,基于CMOS工艺的芯片成为目前电表芯片选择的主流,然而,电表受到外部强静电干扰的情况下,基于COMS工艺的芯片出现栓锁,导致输入芯片的电流急剧增加、芯片发热、芯片短时间内部分功能依然能正常工作、只有在芯片供电电源彻底断电瞬间后芯片才能恢复正常工作状态。因此,基于CMOS工艺的芯片在受到强静电干扰时出现的栓锁现象便成为一个亟待解决的难题。SW172X芯片是由珠海中慧微电子公司推出的一款低功耗电源监控数据保护节能芯片,具有较宽的工业级工作温度、超宽的工作电压以及非常低的工作电流。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种基于SW172X芯片的静电栓锁保护电路,能够应用在电表中,监测电表MCU的栓锁状态,起到静电栓锁保护作用。上述目的由以下技术方案实现一种基于SW172x芯片的 ...
【技术保护点】
一种基于SW172x芯片的静电栓锁保护电路,其特征在于,包括MCU、SW172x芯片、外部供电电源VCC、电池及外部混合供电电源VBB、NPN三极管Q3、P沟道MOS管Q4及电阻R6;SW172x芯片的电源引脚VCC接电池及外部混合供电电源VBB,STB引脚连接一个低功耗模式选择信号的电压分压网络,RST引脚连接NPN三极管Q3的基极;NPN三极管Q3的集电极接外部混合供电电源VBB,发射极接地;P沟道MOS管Q4的栅极接NPN三极管Q3的集电极,漏极用于为MCU提供电源VBB,源极经电阻R6为MCU提供采样电压DVBB;电阻R6两端分别为MCU提供AD输入采样信号ADP、 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:任智仁,刘伟,周宣,
申请(专利权)人:珠海中慧微电子有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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