超电导磁体的线圈电压检测电路制造技术

本实用新型专利技术将由串联连接的2个电阻器(31、32)构成的第1电阻器列(41)在第1点(A)与第2点(B)之间相对于第1线圈(4)并联连接，并且将由串联连接的2个电阻器(33、34)构成的第2电阻器列(42)在第1点(A)与第3点(D)之间相对于第1线圈(4)及第2线圈(3)并联连接。计测器(26)使用第1电阻器列(41)的2个电阻器(31、32)之间的中间点(C)的电压和第2电阻器列(42)的2个电阻器(33、34)之间的中间点(E)的电压来检测第2线圈(3)的电压。从而能够不使计测器损坏地检测各个线圈的电压。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本设计涉及检测超电导磁体(超電導7 V彳、7卜)的线圈的电压的超电导磁体的线圈电压检测电路。
技术介绍
在用于高分辨率NMR或MRI的超电导磁体中，在超电导线圈发生失超(quench)(从超电导状态向常电导状态的转移)的情况下，需要保护超电导线圈免于损坏。在专利文献I中，公开了这样的超电导磁铁装置的失超保护方法在组合有氧化物超电导线超电导线圈和金属超电导线超电导线圈的高磁场超电导磁铁装置中，在金属超电导线超电导线圈发生失超的同时，使设在氧化物超电导线线圈的外侧的加热器发热，由 此使氧化物超电导线线圈整体强制地失超，防止向氧化物超电导线线圈的负荷，由此保护氧化物超电导线线圈。专利文献I :日本特开平11-102808号公报
技术实现思路
然而，如专利文献I另外公开的那样，为了防止在发生失超时电力的流入集中于特定的线圈，将电阻或二极管等保护单元与多个线圈的每个并联相连，进行保护电路构成。这里，考虑这样的情况如图2所示，8个线圈I 8与励磁电源25串联连接，由分别与4个线圈I 4并联相连的保护二极管21、22形成保护4个线圈I 4的保护电路，并且，由分别与4个线圈5 8并联相连的保护二极管23、24形成保护4个线圈5 8的保护电路。在这样的构成中，在检测失超电压的情况下，一般而言，根据Vl和V2检测4个线圈I 4的电压，根据V2和V3检测4个线圈5 6的电压。在此，Vl是保护二极管21与线圈I的接点的电压，V2是保护二极管22与线圈4的接点的电压，V3是保护二极管23与线圈8的接点的电压。然而，在根据Vl和V2检测失超电压的情况下，不能区别是起因于4个线圈I 4中的哪个线圈的失超。在超电导磁体的开发时，如果判明是起因于哪个线圈的失超，则容易采取其对策。因而，判明是起因于哪个线圈的失超非常具有意义。因此，为了计测线圈3的电压，考虑检测B点和D点的电压。假设线圈4失超，则在B点产生约1000V的电压。还取决于以何处为基准，Vl或V3的接点大多与地连接，于是，大概1000V输入计测器，存在计测器损坏的情况。而且，还存在着1000V的电压使途中的布线损坏的风险。本设计的目的在于，提供能够不使计测器损坏地检测各个线圈的电压的超电导磁体的线圈电压检测电路。本设计中的超电导磁体的线圈电压检测电路，具备将多个线圈与电源串联连接并将保护单元相对于所述多个线圈并联连接的电路，其特征在于，在以所述多个线圈中的最接近所述保护单元的线圈作为第I线圈并以之后的线圈按照顺序作为第η线圈(η = 2、3、4......)、以连接所述第I线圈和所述保护单元的布线上的任意的点作为第I点、以连接所述第η线圈和第(η-I)线圈的布线上的任意的点作为第η点时，具有第(η_1)电阻器列，在所述第I点与所述第η点之间至少相对于所述第I线圈并联连接，由串联连接的2个电阻器构成；第η电阻器列，在所述第I点与第(η+1)点之间相对于所述第I线圈至所述第η线圈并联连接，由串联连接的2个电阻器构成；以及计测器，使用所述第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点与所述第I点之间的电压以及所述第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点与所述第I点之间的电压来检测所述第η线圈的电压。依据上述构成，如果第(η-I)电阻器列的2个电阻器的电阻值分别为a、b，则将第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压相对于第I点压缩至第η点的电压的a/(a+b)。同样，如果第η电阻器列的2个电阻器的电阻值分别为c、d，则将第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压相对于第I点压缩至第(η+1)点的电压的c/(c+d)。因而， 能够不使计测器损坏地计测第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点与第I点之间的电压以及第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点与第I点之间的电压。而且，通过使用2个电压，能够检测第η线圈的电压。由此，能够不使计测器损坏地检测各个线圈的电压。另外，在本设计中的超电导磁体的线圈电压检测电路中，可以是以所述第η点的电压作为输入电压并以所述第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压作为输出电压的分压电路的分压比率与以所述第(η+1)点的电压作为输入电压并以所述第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压作为输出电压的分压电路的分压比率相同，所述计测器根据所述第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点与所述第I点之间的电压和所述第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点与所述第I点之间的电压的差，检测所述第η线圈的电压。依据上述构成，如果使2个分压电路的分压比率相同，则在将第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压相对于第I点压缩至第η点的电压的e/(e+f)的情况下，将第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压相对于第I点压缩至第(η+1)点的电压的e/(e+f)0由此，能够根据第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点与第I点之间的电压和第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点与第I点之间的电压的差，检测第η线圈的电压。另外，本设计中的超电导磁体的线圈电压检测电路，具备将多个线圈与电源串联连接并将保护单元相对于所述多个线圈并联连接的电路，其特征在于，在以所述多个线圈中的最接近所述保护单元的线圈作为第I线圈并以之后的线圈按照顺序作为第η线圈(η=2、3、4......)、以连接所述第I线圈和所述保护单元的布线上的任意的点作为第I点、以连接所述第η线圈和第(η-I)线圈的布线上的任意的点作为第η点时，具有第(η_1)电阻器列，在所述第I点与所述第η点之间至少相对于所述第I线圈并联连接，由串联连接的2个电阻器构成；第11电阻器列，在所述第I点与第(η+1)点之间相对于所述第I线圈至所述第η线圈并联连接，由串联连接的2个电阻器构成；以及计测器，使用所述第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压和所述第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压来检测所述第η线圈的电压。依据上述构成，如果使第(η-I)电阻器列的2个电阻器的电阻值分别为a、b，则将第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压相对于第I点压缩至第η点的电压的a/(a+b)。同样，如果第η电阻器列的2个电阻器的电阻值分别为C、d，则将第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压相对于第I点压缩至第(η+1)点的电压的c/(c+d)。因而，能够不使计测器损坏地计测第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压和第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压。而且，通过使用2个电压，能够检测第η线圈的电压。由此，能够不使计测器损坏地检测各个线圈的电压。另外， 在本设计中的超电导磁体的线圈电压检测电路中，可以是以所述第η点的电压作为输入电压并以所述第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压作为输出电压的分压电路的分压比率与以所述第(η+1)点的电压作为输入电压并以所述第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点的电压作为输出电压的分压电路的分压比率相同，所述计测器检测所述第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点与所述第η电阻器列的2个电阻器之间的中间点之间的电压作为所述第η线圈的电压。依据上述构成，如果使2个分压电路的分压比率相同，则在将第(η-I)电阻器列的2个电阻器之间的中间点的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超电导磁体的线圈电压检测电路，具备将多个线圈串联连接到电源，并将保护单元相对于所述多个线圈并联连接的电路，其特征在于：在所述多个线圈中以最接近所述保护单元的线圈作为第1线圈并以之后的线圈按照顺序作为第n线圈、以连接所述第1线圈和所述保护单元的布线上的任意的点作为第1点、以连接所述第n线圈和第n？1线圈的布线上的任意的点作为第n点时，其中，满足n＝2、3、4......，所述超电导磁体的线圈电压检测电路，具有：第n？1电阻器列，其在所述第1点与所述第n点之间相对至少所述第1线圈并联连接，该第n？1电阻器列由串联连接的2个电阻器构成；第n电阻器列，其在所述第1点与第n+1点之间相对于所述第1线圈至所述第n线圈并联连接，该第n电阻器列由串联连接的2个电阻器构成；以及计测器，使用所述第n？1电阻器列的2个电阻器之间的中间点与所述第1点之间的电压、和所述第n电阻器列的2个电阻器之间的中间点与所述第1点之间的电压，检测所述第n线圈的电压。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：永浜恭秀，
申请(专利权)人：日本超导体技术公司，
类型：实用新型
国别省市：