一种固态存储系统及控制器、提高闪存芯片寿命的方法技术方案

本发明专利技术提供一种固态存储系统及控制器，以及一种提高闪存芯片使用寿命的方法，该固态存储系统控制器包括：存储单元块“编程/擦除”次数记录模块，用于实时记录与其连接的每一个闪存芯片内部的每一个存储单元块“编程或擦除”次数；噪音容限估算模块，用于估算某一个存储单元块的存储单元的噪音容限；存储单元阈值电压编程范围设定模块，用于根据噪音容限，以及固态存储系统控制器使用的纠错码的纠错强度，调整存储单元阈值电压编程范围；闪存芯片编程参数设定模块，用于根据存储单元阈值电压编程范围设定模块调整后的存储单元阈值电压编程范围，调整闪存芯片在编程过程中的参数。实施本发明专利技术，可切实有效提高闪存芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储
，尤其涉及一种固态存储系统及固态存储系统控制器，以及一种提高闪存芯片使用寿命的方法。
技术介绍
作为唯一主流的固态非挥发数据储存技术，闪存已经成为了全球半导体产业体系中发展最为迅速的一环。2010年市场研究报告显示，闪存产品的市场已突破200 亿美元。基于闪存芯片的固态数据存储系统主要包含一个固态存储系统控制器芯片和一个以上闪存芯片。浮栅金属氧化物半导体晶体管(Floating-Gate Transistor)是闪存芯片的基本信息存储单元。浮栅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压可以通过注射一定数量的电子进入浮栅而改变。因此，通过对浮栅内电子数目的精确控制，每个信息存储单元，即浮栅金属氧化物半导体晶体管，可储存多个比特信息。精确控制浮栅内电子数目的过程通常被称为编程。在每一个信息存储单元被编程之前，其浮栅内的所有电子必须被移走，从而使得其阈值电压被置为最低，这个过程被称为擦除。在对信息存储单元编程的过程中，现有技术使用一种渐进式的“编程一校验一再编程”的方法以实现对浮栅内电子数目的精确控制。重复的“编程/擦除Iprogram/erase) 的操作会逐渐降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态存储系统控制器，包括：存储单元块“编程/擦除”次数记录模块，用于实时记录与其连接的每一个闪存芯片内部的每一个存储单元块“编程或擦除”次数；噪音容限估算模块，用于估算某一个存储单元块的存储单元的噪音容限；存储单元阈值电压编程范围设定模块，用于根据所述噪音容限估算模块估算得到的噪音容限，以及所述固态存储系统控制器使用的纠错码的纠错强度，调整存储单元阈值电压编程范围；闪存芯片编程参数设定模块，用于根据存储单元阈值电压编程范围设定模块调整后的存储单元阈值电压编程范围，调整所述闪存芯片在编程过程中的参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张彤，邹粤林，
申请(专利权)人：邹粤林，
类型：发明
国别省市：