二芳基酮中心的偶氮分子三进制电存储材料及制备和应用制造技术

本发明专利技术公开了一种以二芳基酮为中心基团的偶氮分子三进制电存储材料及其制备和应用，所述偶氮分子的结构式如下：式中，DAK为3,3’-二苯甲酰基、4,4’-二苯甲酰基或2,7-芴酮基；R为N,N-二C1～C6直链烷基氨基、N,N-二苯基氨基或羟基；本发明专利技术所公开的该偶氮分子的合成工艺简单；采用该偶氮分子制成“底电极/有机薄膜/上电极”的三明治结构的三进制数据存储器件，制作工艺成熟，器件性能稳定，在单位密度内的数据存储量比基于“0”和“1”二进制数据存储呈指数级增长，在未来超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电存储材料，具体涉及一种以二芳基酮为中心基团的偶氮分子三进制电存储材料及其制备和应用。
技术介绍
由于电子器件的微型化和信息技术的爆炸式发展，对大容量信息存储器件的研究成为科学家们亟需解决的难题。早在1999年，美国国防高级研究计划署就已提出了超高密度数据存储计划，即要求数据存储容量大于1012bits/cm2才能满足信息时代发展的需求。为了实现超高密度数据存储，通常有两个可行性策略从器件制备的角度来看，尽管纳米尺度下制作工艺的局限限制了存储单元尺寸的进一步缩小，但是制备出三维(3D)堆叠的存储器件却是为获得高密度数据存储提供了一条行之有效的途径。然而，这种3D器件的制备工艺复杂、耗时费力且技术要求高。另外一种能高效提升数据存储密度的方法便是增 加每个存储单元中的存储态的数值(即存储态由“O”和“I”转变为“0”、“1”、“2”…)。至IJ目前为止，在半导体、光和磁性材料方面的数据存储的成功先例几乎都是二进制的，即只有两个输出信号“0”和“I”。仅有极少数的例子报道了这种三进制电存储器件，可能是因为缺乏合适的功能材料或对实现存储的机理尚不明确。2008年，美国科学本文档来自技高网...

【技术保护点】
下述通式（I）的以二芳基酮为中心基团的偶氮化合物：其中，DAK为3,3’？二苯甲酰基、4,4’？二苯甲酰基或2,7？芴酮基；R为N,N？二C1～C6直链烷基氨基、N,N？二苯基氨基或羟基。FDA00002428830200011.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：路建美，缪世峰，李华，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：