一种触摸屏双面ITO刻蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种触摸屏双面ITO刻蚀方法，包括以下步骤：在透明玻璃基板G的正、反双面分别镀ITO层；对正、反双面的ITO层进行蚀刻前的保护处理；对保护处理后的正、反双面的ITO层进行蚀刻，并且蚀刻中反面ITO层在下层，正面ITO层在上层。本发明专利技术能够有效地消弱蚀刻印现象，提高触摸屏的工艺品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及触摸屏的制作工艺，更具体地，涉及一种触摸屏双面ITO刻蚀方法。
技术介绍
电容式触摸屏具有多点触控、感应精确、透光性好等优点，而且随着生产工艺的进步，制造成本也日益下降，因此已经在智能手机、PAD等具有触摸输入功能的电子产品中逐渐成为一种主流配置。电容式触摸屏一般在透明玻璃基板的正反两面形成ITO层，分别作为X，Y轴方向的导电线路，从而制成双面ΙΤ0，并将正、反面的ITO通过柔性电路板连接。正面ITO层接触强化玻璃等外部保护层，反面的ITO层通过光学胶OCA结合到PET。 随着CTP的工艺不断成熟，双面ITO的蚀刻工艺已经得到广泛应用，该工艺包括在透明玻璃基板G的双面分别镀ITO层，然后对正、反ITO层同时进行蚀刻形成导电图案，从而得到正面的ITO I和反面的ITO 2。在蚀刻的过程中，如图I所示，反面的ITO 2在上层，正面的ITO I在下层。这种传统工艺的一个缺陷在于留下的蚀刻印严重，对所制成的ITO的品质造成很大的不良影响。
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷，本专利技术提供了一种改进的触摸屏双面ITO刻蚀方法，能够有效地消弱蚀刻印现象，提高触摸屏的工艺品质。本专利技术所述的触摸屏双面ITO刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤在透明玻璃基板G的正、反双面分别镀ITO层；对正、反双面的ITO层进行蚀刻前的保护处理；对保护处理后的正、反双面的ITO层进行蚀刻，并且蚀刻中反面ITO层在下层，正面ITO层在上层。优选地，所述蚀刻前的保护处理包括对正面ITO层进行耐酸处理和烤箱烘干，然后对反面ITO层进行耐酸处理和烤箱烘干。优选地，经过蚀刻获得的正面ITO层的方阻率为180-300欧姆，反面ITO层的方阻率为60-120欧姆。本专利技术利用光折射原理，同时对双面ITO蚀刻工艺进行了修改，取得了消弱蚀刻印现象的技术效果，提高了触摸屏产品的品质。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图I是现有双面ITO蚀刻工艺中位直关系不意图；图2是本专利技术所述的双面ITO蚀刻工艺中位置关系示意图。具体实施例方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术的技术方案，并使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例及实施例附图对本专利技术作进一步详细的说明。本专利技术的双面ITO蚀刻方法包括以下步骤参见图2，首先，对透明玻璃基板G的正、反双面分别镀ITO层，然后采用清洗工艺用纯水清洗上面的脏污。之后对正、反双面的ITO层进行蚀刻前的保护处理，保护处理的具体步骤包括对正面ITO层进行正面耐酸处理，以保护正面ITO层所需要形成的导电图案；然后用烤箱烘干耐酸；接着对反面ITO层进行背面耐酸处理以保护反面ITO层所需要形成的导电图案，然后用烤箱烘干耐酸。对保护处理后的正、反双面的ITO层进行蚀刻，并且如图2所示，蚀刻中反面ITO层在下层，正面ITO层在上层，形成正面的ITO I和反面的ITO 2。经过蚀刻获得的正面ITO层的方阻率为180-300欧姆，反面ITO层的方阻率为60-120欧姆。再将正、反面的ITO通过柔性电路板连接。正面ITO层接触强化玻璃等外部保护层，反面的ITO层通过光学胶OCA结合到PET，从而制作触摸屏。本专利技术利用光折射原理，同时对双面ITO蚀刻工艺进行了修改，取得了消弱蚀刻印现象的技术效果，提高了触摸屏产品的品质。以上所述，仅为本专利技术的具体实施方式，本专利技术还可以应用在其它控制设备中。本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。因此，本专利技术的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。权利要求1.一种触摸屏双面ITO刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤 在透明玻璃基板G的正、反双面分别镀ITO层； 对正、反双面的ITO层进行蚀刻前的保护处理； 对保护处理后的正、反双面的ITO层进行蚀刻，并且蚀刻中反面ITO层在下层，正面ITO层在上层。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述蚀刻前的保护处理包括对正面ITO层进行耐酸处理和烤箱烘干，然后对反面ITO层进行耐酸处理和烤箱烘干。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，经过蚀刻获得的正面ITO层的方阻率为180-300欧姆，反面ITO层的方阻率为60-120欧姆。全文摘要本专利技术提供了一种触摸屏双面ITO刻蚀方法，包括以下步骤在透明玻璃基板G的正、反双面分别镀ITO层；对正、反双面的ITO层进行蚀刻前的保护处理；对保护处理后的正、反双面的ITO层进行蚀刻，并且蚀刻中反面ITO层在下层，正面ITO层在上层。本专利技术能够有效地消弱蚀刻印现象，提高触摸屏的工艺品质。文档编号G06F3/044GK102915165SQ201210363580公开日2013年2月6日 申请日期2012年9月26日 优先权日2012年9月26日专利技术者余光明, 张瑞恩 申请人:深圳市雅视科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种触摸屏双面ITO刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：在透明玻璃基板G的正、反双面分别镀ITO层；对正、反双面的ITO层进行蚀刻前的保护处理；对保护处理后的正、反双面的ITO层进行蚀刻，并且蚀刻中反面ITO层在下层，正面ITO层在上层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余光明，张瑞恩，
申请(专利权)人：深圳市雅视科技有限公司，
类型：发明
国别省市：