一种测试棒及其制备方法技术

技术编号:8296417 阅读:156 留言:0更新日期:2013-02-06 20:37
本发明专利技术公开了一种测试棒,用于测量硅晶体熔化和生长速率,其特征在于,所述测试棒各组分及质量百分比为:氮化硅0%~100%,碳化硅0%~100%,硅粉0%~25%,烧结助剂0%~8%,所述氮化硅的纯度为90%~99.95%,所述碳化硅的纯度为90%~99.95%,所述硅粉的纯度为90%~99.9999999%。本发明专利技术还公开了该测试棒的制备方法。采用本发明专利技术的测试棒,克服了现有技术石英棒易变形,易与硅液粘连,易被硅液腐蚀的缺点,提高了抗腐蚀能力和测试精度,延长了测试棒的使用寿命,降低了因测试棒断裂而影响硅晶体品质,造成重大经济损失的概率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅料熔化或硅晶体生长的测量领域,尤其涉及。
技术介绍
硅晶体材料广泛应用在光伏太阳能、液晶显示和半导体领域。目前多采用多晶硅铸锭技术来生长硅晶体,在此生长过程中,需定时监控多晶硅的长晶速率。同吋,采用定向凝固法生长硅单晶的过程中,需严格控制硅料的熔化速率,因而也需测量硅料的熔化速率。目前技术之ー是,将石英棒插入到内置硅液的容器中,与固液界面接触,记录该时刻测试棒的高度。隔单位时间后再次測量,并记录此时刻测试棒的高度。通过计算二者高度差来获得单位时间内硅料的生长速率或熔化速率。此外,这种技术还适用于判定硅料是否全熔,全熔后硅熔液液面高度等情形。但是,采用石英棒测试硅液高度,具有多个缺点第一,石英棒在高温下易弯曲或拉伸变形,影响测试精度。多晶硅铸锭炉运行最高温度为1560°C ±15°C,石英棒在该温度范围内极易出现变形等现象,导致测量误差大,影响数据采集。另外,底部铺设籽晶生长硅锭的方法中,石英棒的变形会导致籽晶的熔化厚度测试不精确,影响硅晶体质量。第二,使用寿命短,基本为一次性使用。如若石英棒強行使用多次,易导致石英棒断裂,进而导致硅锭粘结在容器上甚至开裂,从而造成较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试棒,用于硅料熔化或硅晶体生长的测量领域,其特征在于,所述测试棒各组分及质量百分比为:氮化硅0%~100%,碳化硅0%~100%,硅粉0%~25%,烧结助剂0%~8%,所述氮化硅的纯度为90%~99.95%,所述碳化硅的纯度为90%~99.95%,所述硅粉的纯度为90%~99.9999999%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张涛胡动力钟德京吕东
申请(专利权)人:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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