【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅料熔化或硅晶体生长的测量领域,尤其涉及。
技术介绍
硅晶体材料广泛应用在光伏太阳能、液晶显示和半导体领域。目前多采用多晶硅铸锭技术来生长硅晶体,在此生长过程中,需定时监控多晶硅的长晶速率。同吋,采用定向凝固法生长硅单晶的过程中,需严格控制硅料的熔化速率,因而也需测量硅料的熔化速率。目前技术之ー是,将石英棒插入到内置硅液的容器中,与固液界面接触,记录该时刻测试棒的高度。隔单位时间后再次測量,并记录此时刻测试棒的高度。通过计算二者高度差来获得单位时间内硅料的生长速率或熔化速率。此外,这种技术还适用于判定硅料是否全熔,全熔后硅熔液液面高度等情形。但是,采用石英棒测试硅液高度,具有多个缺点第一,石英棒在高温下易弯曲或拉伸变形,影响测试精度。多晶硅铸锭炉运行最高温度为1560°C ±15°C,石英棒在该温度范围内极易出现变形等现象,导致测量误差大,影响数据采集。另外,底部铺设籽晶生长硅锭的方法中,石英棒的变形会导致籽晶的熔化厚度测试不精确,影响硅晶体质量。第二,使用寿命短,基本为一次性使用。如若石英棒強行使用多次,易导致石英棒断裂,进而导致硅锭粘结在容器上 ...
【技术保护点】
一种测试棒,用于硅料熔化或硅晶体生长的测量领域,其特征在于,所述测试棒各组分及质量百分比为:氮化硅0%~100%,碳化硅0%~100%,硅粉0%~25%,烧结助剂0%~8%,所述氮化硅的纯度为90%~99.95%,所述碳化硅的纯度为90%~99.95%,所述硅粉的纯度为90%~99.9999999%。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张涛,胡动力,钟德京,吕东,
申请(专利权)人:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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