一种全桥串联谐振变换器拓扑结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种全桥串联谐振变换器拓扑结构，包括第一至第四IGBT、电容、电感和电阻，所述第一IGBT和第二IGBT的串联支路与所述第三IGBT和第四IGBT的串联支路相互并联之后接所述电源；所述电容、电感和电阻依次串联在所述第一IGBT和第二IGBT的相接端与所述第三IGBT和第四IGBT的相接端之间。本实用新型专利技术结构简单，易于实现，能满足功率变换时的各种实现要求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种全桥串联谐振变换器拓扑结构。
技术介绍
自80年代以来，随着高频开关器件的诞生，电力电子装置逐步向高频化、集成化和模块化方向发展。目前，功率谐振变换器已在高频功率变换领域得到广泛的重视和研究。谐振变换器中，交流方波电压或电流加在谐振网络两端，产生高频谐振，谐振电压或电流经过整流和滤波后，转变成直流电压或电流，从而实现直流-直流变换。在进行功率变换时，就会涉及到平滑控制功率流、抑制系统冲击、降低功率器件工作应力、降低功率变换过程中电磁干扰等实现要求，为了解决这些问题，目前的功率谐振变换器的拓扑结构都相对复杂，也增加了控制策略的复杂度，存在很多未知的安全隐患。因此，致力于对能很好地满足上述各类要求，并且结构简单的谐振变换器拓扑结构的研究是本申请人一贯努力的方向。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷而提供一种全桥串联谐振变换器拓扑结构，它结构简单，易于实现，并且能满足功率变换时的各种实现要求。实现上述目的的技术方案是一种全桥串联谐振变换器拓扑结构，外接电源，包括第一至第四IGBT (InsulatedGate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全桥串联谐振变换器拓扑结构，外接电源，其特征在于，包括第一至第四IGBT、电容、电感和电阻，其中：所述第一IGBT和第二IGBT的串联支路与所述第三IGBT和第四IGBT的串联支路相互并联之后接所述电源；所述电容、电感和电阻依次串联在所述第一IGBT和第二IGBT的相接端与所述第三IGBT和第四IGBT的相接端之间。

【技术特征摘要】
1.一种全桥串联谐振变换器拓扑结构，外接电源，其特征在于，包括第一至第四IGBT、电容、电感和电阻，其中 所述第一 IGBT和第二 IGBT的串联支路与所述第三IGBT和第四IGBT的串联支路相互并联之后接所述电源； 所述电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚建歆，邵峥达，蔡磊，毕蔚蓉，沈晓枉，曹芸，李骁杰，
申请(专利权)人：上海市电力公司，
类型：实用新型
国别省市：