基于IEGTH桥功率单元的旁路装置制造方法及图纸

技术编号:8291224 阅读:242 留言:0更新日期:2013-02-01 04:17
本实用新型专利技术公开了一种基于IEGT?H桥功率单元的旁路装置,是针对包含若干个IEGT?H桥功率单元的STATCOM拓扑电路而设计的,包括若干个旁路模块,每个旁路模块连接STATCOM拓扑电路中的一个IEGT?H桥功率单元,所述STATCOM拓扑电路包括两个并联的STATCOM,每个STATCOM在每相上串联一组IEGT?H桥功率单元,所述旁路模块包括电控接触器和两个晶闸管,所述电控接触器和两个所述晶闸管并联在对应的IEGT?H桥功率单元的两个相模块的输出端之间,两个所述晶闸管反向并联。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路
,特别是涉及一种基于IEGT H桥功率单元的旁路装置。
技术介绍
IEGT H 桥功率单兀是一种用于 STATCOM (Static Synchronous Compensator,静止无功补偿器,简称STATC0M,又称SVG)的功率单元。传统技术中,IEGTH桥功率单元的旁路模块多为单一功能的旁路模块,如仅旁路单个功率单元,或只能实现冗余旁路功能。另外,当一个功率单元出现故障时,现有的旁路模块只能将其旁路,无法同时启动备用功率单元
技术实现思路
·本技术提出了一种基于IEGT H桥功率单元的旁路装置,可以旁路任意个IEGTH桥功率单元,且不受所在电压相的约束。本技术基于IEGT H桥功率单元的旁路装置,包括若干个旁路模块,每个旁路模块连接STATCOM拓扑电路中的一个IEGT H桥功率单元,所述STATCOM拓扑电路包括两个并联的STATC0M,每个STATCOM在每相上串联一组IEGT H桥功率单元,所述旁路模块包括电控接触器和两个晶闸管,所述电控接触器和两个所述晶闸管并联在对应的IEGT H桥功率单元的两个相模块的输出端之间,两个所述晶闸管反向并联。本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于IEGT?H桥功率单元的旁路装置,其特征在于,包括若干个旁路模块,每个旁路模块连接STATCOM拓扑电路中的一个IEGT?H桥功率单元,所述STATCOM拓扑电路包括两个并联的STATCOM,每个STATCOM在每相上串联一组IEGT?H桥功率单元,所述旁路模块包括电控接触器和两个晶闸管,所述电控接触器和两个所述晶闸管并联在对应的IEGT?H桥功率单元的两个相模块的输出端之间,两个所述晶闸管反向并联。

【技术特征摘要】
1.一种基于IEGT H桥功率单元的旁路装置,其特征在于,包括若干个旁路模块,每个旁路模块连接STATCOM拓扑电路中的一个IEGT H桥功率单元, 所述STATC0M拓扑电路包括两个并联的STATC0M,每个STATCOM在每相上串联一组IEGTH桥功率单元, 所述旁路模块包括电控接触器和两个晶闸管,所述电控接触器和两个所述晶闸管并联在对应的IEG...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟连宏魏远航欧阳旭东陈剑光刘锦兰黄献生邱育义骆树权吴汝豪谢建容孔慧超罗伟康杜巍王春岩
申请(专利权)人:广东电网公司广东电网公司东莞供电局荣信电力电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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