补偿电容和补偿电容型耦合器制造技术

本实用新型专利技术关于补偿电容和补偿电容型耦合器；其中的补偿电容型耦合器包括：输出模块、隔离模块、两个耦合片和输入模块，两个输入模块均为补偿电容；补偿电容包括：金属体、聚四氟垫板和内导体；金属体的上下表面均为圆形，且金属体上设置有穿过其上下表面的通孔；聚四氟垫板的上侧设置有用于容置金属体的槽，槽的端面为圆形且设置有通孔；在金属体容置于槽内时，槽内的通孔与金属体的通孔组成贯通孔；内导体设置于贯通孔中；两个补偿电容分别通过其内导体与两个耦合片连接。本实用新型专利技术提供的技术方案可以灵活方便的实现了补偿电容型耦合器的技术指标的调整，缩短了补偿电容型耦合器的出厂周期，且避免了结构件的浪费现象，最终降低了器件成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子技术，特别是涉及一种补偿电容和补偿电容型耦合器。
技术介绍
补偿电容型耦合器(如大功率的补偿电容型3dB耦合器)在广播电视发射系统中有着非常广泛的应用。补偿电容型3dB耦合器可以将一路射频信号分配成幅度相等且相位差为90度的两路射频信号，也可将两路幅度相等且相位差为90度的射频信号合成为一路射频信号。也就是说，补偿电容型3dB耦合器具有功率合成和功率分配的性能。专利技术人在实现本技术过程中发现在经过加工组装成型后，补偿电容型3dB耦合器的技术指标就已经固定下来了。如果经仪器测试发现该补偿电容型3dB耦合器的技术指标不能满足预定要求，则需要重新加工补偿电容型3dB耦合器中的某些结构件；之后，再次进行补偿电容型3dB耦合器的组装和测试过程，直到该补偿电容型3dB耦合器的技术指标满足预定要求为止。因此，现有的补偿电容型3dB耦合器存在不能灵活方便的进行技术指标的调整的问题，使补偿电容型3dB耦合器出厂周期较长，且会存在结构件浪费现象，最终导致补偿电容型3dB耦合器的生产成本高。有鉴于上述现有的补偿电容型耦合器存在的问题，专利技术人基于从事此类产品设计制造多年的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的补偿电容和补偿电容型耦合器，能够克服现有的补偿电容型耦合器存在的问题，使其更具实用性。经过不断的研究设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本技术。
技术实现思路
本技术的主要目的在于，克服现有的补偿电容型耦合器存在的问题，而提供一种新的补偿电容和补偿电容型耦合器，所要解决的技术问题是，可以灵活方便的实现补偿电容型耦合器的技术指标的调整，缩短补偿电容型耦合器的出厂周期，且避免结构件的浪费现象。本技术的目的及解决其技术问题可采用以下的技术方案来实现。依据本技术提出的一种补偿电容包括金属体，所述金属体的上表面和下表面均为圆形，且所述金属体上设置有穿过所述上表面和下表面的通孔；聚四氟垫板，在所述聚四氟垫板的上侧设置有用于容置所述金属体的槽，所述槽的端面为圆形，所述槽内设置有通孔，且在所述金属体容置于所述槽内时，所述槽内的通孔与所述金属体的通孔形成贯通孔；内导体，设置于所述贯通孔中。较佳的，前述的补偿电容，其中所述补偿电容还包括设置于所述金属体和所述槽的底壁之间的聚四氟垫片；所述聚四氟垫片设置有通孔，且在所述金属体和所述聚四氟垫片容置于所述槽内时，所述槽内的通孔、所述金属体的通孔以及所述聚四氟垫片的通孔形成贯通孔。较佳的，前述的补偿电容，其中所述金属体的材质为铜镀银，且所述内导体的材质为铜镀银；所述聚四氟垫板的上表面和下表面均为不完整圆形，且所述不完整圆形的面积不小于半圆形的面积。依据本技术提出的一种补偿电容型耦合器，包括输出模块、隔离模块、两个耦合片以及两个输入模块，所述两个输入模块均为上述记载的补偿电容，且一个补偿电容通过其内导体与所述两个耦合片中的其中一个耦合片连接，另一个补偿电容通过其内导体与所述两个耦合片中的其中另一个耦合片连接。较佳的，前述的补偿电容型耦合器，其中所述补偿电容型耦合器还包括两个连接片；所述内导体通过所述连接片与所述耦合片连接；且所述内导体的长度方向与所述两个耦合片的平行设置方向相垂直。较佳的，前述的补偿电容型耦合器，其中针对工作于87MHz-108MHz的补偿电容型率禹合器所述金属体的上表面和下表面的直径为37-38mm,且所述金属体的厚度为3_5mm ；所述聚四氟垫板的上表面和下表面为直径为76-80mm的不完整圆形，且所述聚四氟垫板的厚度为10-13mm ;所述槽的直径为37. 1-38. 1mm，且所述槽的深度为3_5mm。较佳的，前述的补偿电容型耦合器，其中所述金属体的上表面和下表面的直径为37. 6mm,且所述金属体的厚度为4mm ;所述聚四氟垫板的上表面和下表面的直径为78mm,且所述聚四氟垫板的厚度为Ilmm ;所述槽的直径为37. 7mm,且所述槽的深度为4mm ;所述内导体为直径为7. 9mm的圆柱体。较佳的，前述的补偿电容型耦合器，其中所述补偿电容型耦合器还包括箱体，容置输出模块、隔离模块、两个耦合片以及两个输入模块，且所述输出模块、隔离模块以及两个输入模块的外接端均外露于所述箱体。较佳的，前述的补偿电容型耦合器，其中所述两个输入模块的外接端外露于所述箱体的同一个面，所述输出模块和所述隔离模块的外接端外露于所述箱体的另一个面，且这两个面邻接并垂直。较佳的，前述的补偿电容型耦合器，其中补偿电容型耦合器包括补偿电容型3dB率禹合器。借由上述技术方案，本技术的补偿电容和补偿电容型耦合器至少具有下列优点及有益效果本技术通过在聚四氟垫板上设置槽、将金属体设置于槽中、并将内导体插入槽和金属体的通孔中，这样，可以通过在槽中垫入聚四氟垫片可以实现补偿电容的电容值的随时调整；从而本技术可以灵活方便的实现补偿电容型耦合器的技术指标的调整，缩短了补偿电容型耦合器的出厂周期，且避免了结构件的浪费现象，最终有效降低了器件的生产成本，非常适于实用。综上所述，本技术在技术上有显著的进步，并具有明显的积极技术效果，成为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其他目的、特征以及优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图I为本技术的补偿电容型耦合器的示意图；图2为本技术的设置有箱体的补偿电容型耦合器的示意图；图3为本技术的补偿 电容型耦合器的测试结果示意图。具体实施方式为更进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的补偿电容和补偿电容型耦合器其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。实施例一、补偿电容。本实施例的补偿电容主要包括金属体、聚四氟垫板以及内导体。可选的，该补偿电容还可以包括聚四氟垫片；也就是说，应用于实际电路环境中的补偿电容中可能包含有聚四氟垫片，也有可能不包含有聚四氟垫片。金属体的上表面和下表面通常均为圆形，且该金属体的外部形状可以为圆柱体，当然也可以为其它形状，如该金属体呈上表面和下表面直径略有不相同的锥体。该金属体可以为铜镀银的金属体。另外，该金属体上设置有通孔，该通孔穿过金属体的上表面和下表面，且该通孔具体可以为圆柱形通孔。还有，该金属体的直径的大小以及厚度可以根据具体的电路应用环境来设置。聚四氟垫板的上侧设置有端面为圆形的槽。聚四氟垫板上的槽主要用于容置金属体，还可以用于容置聚四氟垫片和金属体。当金属体放置在槽内时，金属体的上表面可以与槽的上端面不在同一个平面上，如金属体的上表面突出于槽的上端面，再如，金属体的上表面低于槽的上端面。当然，金属体的上表面可以与槽的上端面处于同一个平面上，即金属体的上表面与槽的上端面相平。聚四氟垫板上的槽的深度通常不超过聚四氟垫板的厚度的一半。本技术可以通过调节聚四氟垫板上的槽中的聚四氟垫片的薄厚来调整金属体嵌入在槽内的深度，从而实现补偿电容的电容值调整。聚四氟垫板的槽内也设置有通孔。槽内该通孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种补偿电容，其特征在于，包括：金属体，所述金属体的上表面和下表面均为圆形，且所述金属体上设置有穿过所述上表面和下表面的通孔；聚四氟垫板，在所述聚四氟垫板的上侧设置有用于容置所述金属体的槽，所述槽的端面为圆形，所述槽内设置有通孔，且在所述金属体容置于所述槽内时，所述槽内的通孔与所述金属体的通孔形成贯通孔；内导体，设置于所述贯通孔中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵亮，
申请(专利权)人：北京北广科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：