【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体工艺
,特别涉及一种可调节的红外线灯组及加热>J-U ρ α装直。
技术介绍
外延是指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术,新单晶的晶向取决于衬底,由衬底向外外延而成。为了保证得到高质量的外延层,必须控制好各种工艺参数,其中最关键的 参数就是工艺中衬底的温度。温度影响电阻率的均匀性,源气体反应需要特定的温度,如果衬底表面温度改变,不仅外延层不均匀而且晶体性质也不均匀,轻微的温度不均匀会导致晶体滑移。为了达到反应温度要求,外延腔室采用双面灯加热方式,加热灯管为上下交叉平行分布。由于外延腔室的特殊结构需求,在旋转升降轴附近的基座所获得的热源较少,容易导致晶体受热不均匀,影响了外延层的均匀性。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题本技术要解决的技术问题是如何提供一种可调节的红外线灯组及加热装置,以作为双面灯的补偿热源,使晶体受热更加均匀。( 二 )技术方案为解决上述技术问题,本技术提供一种可调节的红外线灯组,其包括固定管、加热器、角度调节架、纵向调节架;所述固定管固定在外延腔室内;所述加热器设置在所述固定管的内部;所述角度调节架的中部连接所述加热器, ...
【技术保护点】
一种可调节的红外线灯组,其特征在于,包括:固定管、加热器、角度调节架、纵向调节架;所述固定管固定在外延腔室内;所述加热器设置在所述固定管的内部;所述角度调节架的中部连接所述加热器,下部滑动连接所述纵向调节架的下部,用于调节所述加热器与所述固定管间夹角;所述纵向调节架的上部滑动连接所述固定管,用于调节所述加热器相对所述固定管的纵向位移。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:魏景峰,刘东,龙睿芬,李一吾,
申请(专利权)人:北京七星华创电子股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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