一种超材料的微结构及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及超材料领域，尤其涉及一种超材料的微结构及其制备方法。
技术介绍
超材料是融合了电磁、微波、太赫兹、光子、先进工程设计、通信等科学的高度交叉的新型领域。作为当今最尖端的新兴交叉科学技术，超材料科技因其突出的物理特性多次被评为“世界十大科技进展”。作为新兴材料科技的超材料的重大发展，在航天、航空、电子、通信、物联网、生物医疗器械、军事等领域里均存在大量的潜在应用。超材料的核心理论是描述电磁波轨迹和超材料特性的变形光学，该技术的一大核心在于设计成千上万个互相不同的人造复杂微结构并按照合理的排布组成一个具有特殊功能性的超材料器件。CMOS工艺是当今半导体工艺中能实现可控的最小尺寸的工艺，现在32nm的制程 逐渐成熟，半导体工艺便是利用不同类型组合的PN结的不同特性来实现设计需求。有效的利用CMOS工艺中的各种不同的材料，通过CMOS工艺的尺寸控制手段，能够构造极小尺寸的微结构。利用不同性质的材料的特殊微结构便能制造出拥有特殊性质的超材料。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是制备一种含有PN结的超材料的微结构，利用PN结的特性丰富和完善超材料的性能及这种微结构...
【技术保护点】
一种超材料的微结构，其特征在于：所述的超材料的微结构包括至少一个由PN结构成的任一形状的结构。
【技术特征摘要】
1.一种超材料的微结构，其特征在于所述的超材料的微结构包括至少一个由PN结构成的任一形状的结构。2.一种制备权利要求I所述的超材料的微结构的方法，其特征在于所述的制备方法包括以下步骤 a、将本征半导体作为衬底，并在衬底的表面氧化一层氧化薄膜； b、在氧化薄膜上涂抹一层光刻胶； C、将第一掩膜板对光刻胶进行曝光，并对曝光部分进行蚀刻，去除氧化薄膜，露出衬底； d、对露出的衬底进行N型或P型的掺杂或者注入杂质，然后去除光刻胶； e、将衬底再涂抹一层光刻胶； f、用第二掩膜板对光刻胶进行曝光，并对曝光部分进行蚀刻，去除氧化薄膜，露出衬底； g、对露出的衬底再进行P型或N型的掺杂或者注入杂质； h、去除衬底上没有被蚀刻掉的氧化薄膜及光刻胶。3.根据权利要求2所述的制备超材料的微结构的方法，其特征在于所述的步骤还包括 i、在衬底上氧化一层氧化膜作为保护层。4....
【专利技术属性】
技术研发人员：刘若鹏，赵治亚，缪锡根，杨宗荣，
申请(专利权)人：深圳光启高等理工研究院，深圳光启创新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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