太阳能液晶面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能液晶面板及其制作方法，包括太阳能电池和TFT结构，所述TFT结构包括：栅极、绝缘层、第一i型非晶硅层、源极n型非晶硅层和漏极n型非晶硅层、源极、以及漏极；所述太阳能包括位于第二ITO透明电极、第二p型a-Si层、第二i型非晶硅层、以及太阳能n型非晶硅层，其中，第二i型非晶硅层与第一i型非晶硅层同时形成但位于不同的平面上。本发明专利技术太阳能液晶显示面板整合现有液晶显示器与薄膜太阳能的制程与材料，可以在基板上制作同时具有太阳能与液晶显示器的元件，具有产生能源与控制显示之用，可以应用在诸如窗玻璃等建筑材料之上。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能液晶面板及其制作方法。
技术介绍
a-Si (非晶硅材料)可作为薄膜太阳能材料，可与现有面板技术整合在一起，薄膜太阳能电池的架构为p+: ia-Si :n型之组成，TFT之结构则为ia_Si :n型之组成。薄膜太阳能为将具有光伏效应的非结晶状态的硅以薄膜形式镀制在玻璃基板上進行光电转换，形成p-i-n结构，图I所示为薄膜太阳能太阳电池结构示意图，图I从上之下依序为位于顶层的第一 ITO l、n型a-Si 2、i型a_Si 3、p型a_Si 4、以及第二 ITO 5。通过以P型a-Si 4 (p型非晶娃材料)与η型a-Si2 (η型非晶娃材料)接合构成正极与负极，当太阳光照射太阳能电池时，阳光的能量会使半导体材料内的正、负电荷分离(产生电 子-空乏对)；正、负电荷会分别往正(P型)、负(η型)极方向移动并且聚集产生电流。液晶显示器亦以非晶硅作为主动元件，利用i型a-Si作为开关元件并以η型非晶硅材料与源极漏极接触进行导通，图2所示为液晶显示器的TFT结构示意图，其结构为底层为栅极10、覆盖栅极10的绝缘层20、源极30、漏极40、位于绝缘层20上且正对栅极10的i型a本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能液晶面板，包括太阳能电池和TFT结构，其特征在于：所述TFT结构包括：位于底部的栅极、位于栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的第一i型非晶硅层、位于第一i型非晶硅层上的源极n型非晶硅层和漏极n型非晶硅层、源极、以及漏极；所述太阳能包括位于底层的第二ITO透明电极、第二p型a？Si层、第二i型非晶硅层、以及太阳能n型非晶硅层，其中，第二i型非晶硅层与第一i型非晶硅层同时形成但位于不同的平面上，且所述源极一端位于源极n型非晶硅层上，源极的另一端位于第二i型非晶硅层上，所述漏极一端位于漏极n型非晶硅层上，漏极的另一端位于第二i型非晶硅层上。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能液晶面板，包括太阳能电池和TFT结构，其特征在于 所述TFT结构包括位于底部的栅极、位于栅极上的绝缘层、位于绝缘层上的第一 i型非晶硅层、位于第一 i型非晶硅层上的源极η型非晶硅层和漏极η型非晶硅层、源极、以及漏极； 所述太阳能包括位于底层的第二 ITO透明电极、第二 P型a-Si层、第二 i型非晶硅层、以及太阳能η型非晶硅层，其中，第二 i型非晶硅层与第一 i型非晶硅层同时形成但位于不同的平面上，且所述源极一端位于源极η型非晶硅层上，源极的另一端位于第二 i型非晶硅层上，所述漏极一端位于漏极η型非晶硅层上，漏极的另一端位于第二 i型非晶硅层上。2.根据权利要求I所述的太阳能液晶面板，其特征在于所述第二ITO透明电极与第二 P型a-Si层加一起的厚度低于绝缘层的厚度。3.根据权利要求I所述的太阳能液晶面板，其特征在于所述TFT结构还包括位于顶层的信号线、扫描线和透明电极。4.根据权利要求I所述的太阳能液晶面板，其特征在于所述TFT结构还包括保护层。5.根据权利要求3所述的太阳能液晶面板，其特征在于所述保护层上开有若干接触孔。6.一种太阳能液晶面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤 第一步在基板上形成栅极图形，接着形成绝缘层图形，并在形成绝缘层图形后不移除绝缘层光阻，接着连续生成ITO透明电极和P型a-Si层，定义位于绝缘层光阻上的为第一ITO透明电极和第一 P型a-Si层、位于基板上的为第...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪孟逸，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：