液晶显示装置制造方法及图纸

技术编号:8270838 阅读:146 留言:0更新日期:2013-01-31 02:50
本发明专利技术公开了一种液晶显示装置,所述液晶显示装置包括:基板;在所述基板上彼此交叉的栅极线和数据线,从而限定像素区域;与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管;和在所述像素区域彼此交替的多个像素电极和多个第一公共电极,并且所述多个像素电极和所述多个第一公共电极被配置为产生面内电场,并且所述多个像素电极和所述多个第一公共电极的每一个都包括第一层和在所述第一层上的第二层,其中所述第一层由不透明金属制成并且具有第一厚度,而所述第二层由透明导电材料制成并且具有第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及一种液晶显示装置,更特别地,涉及一种面内切换(in-planeswitching)模式的液晶显示装置及其制造方法。
技术介绍
直到最近,显示装置都典型地使用阴极射线管(CRT)。然而,目前,已经做出许多努力和研究来开发各种类型的平板显示器来代替CRT,所述平板显示器例如,液晶显示(IXD)·装置、等离子体显示面板(PDP)、场致发射显示器和电致发光显示器(ELD)。在这些平板显示器中,IXD装置具有许多优点,例如分辨率高、重量轻、外形薄、结构紧凑和低电压供电需求。通常,IXD装置包括两个相隔开且彼此面对的基板,并且在两个基板之间夹有液晶材料。两个基板包括彼此面对的电极,使得在电极之间施加的电压产生穿过液晶材料的电场。在液晶材料中的液晶分子的取向根据产生的电场的强度而改变成所产生的电场的方向,从而改变IXD装置的透光率。因此,IXD装置通过改变产生的电场的强度而显示图像。使用产生垂直方向的电场的LCD装置在视角方面具有缺点。为解决这个问题,提出了一种使用面内电场的面内切换(IPS)模式IXD装置。图I是表示根据现有技术的IPS模式IXD装置的示意性截面图。参照图1,IP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置,所述液晶显示装置包括:基板;在所述基板上彼此交叉的栅极线和数据线,从而限定像素区域;与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管;和在所述像素区域彼此交替的多个像素电极和多个第一公共电极,所述多个像素电极和所述多个第一公共电极被配置为产生面内电场,并且所述多个像素电极和所述多个第一公共电极的每一个都包括第一层和在所述第一层上的第二层,其中所述第一层由不透明金属制成并且具有第一厚度,而所述第二层由透明导电材料制成并且具有第二厚度。

【技术特征摘要】
2011.07.28 KR 10-2011-00752411.一种液晶显示装置,所述液晶显示装置包括 基板; 在所述基板上彼此交叉的栅极线和数据线,从而限定像素区域; 与所述栅极线和所述数据线连接的薄膜晶体管;和 在所述像素区域彼此交替的多个像素电极和多个第一公共电极,所述多个像素电极和所述多个第一公共电极被配置为产生面内电场,并且所述多个像素电极和所述多个第一公共电极的每一个都包括第一层和在所述第一层上的第二层, 其中所述第一层由不透明金属制成并且具有第一厚度,而所述第二层由透明导电材料制成并且具有第二厚度。2.根据权利要求I所述的装置,其中所述第一层是钥、钥-钛(MoTi)、铜(Cu)和氮化铜(CuNx)中的至少一种,所述第二层是氧化铟锡(IT0)、氧化铟锌(IZO)和铝掺杂氧化锌(AZO)中的至少一种。3.根据权利要求2所述的装置,其中所述第一层厚度是约50Λ至约250A,而所述第二层厚度是约200Λ至约4.根据权利要求I所述的装置,进一步包括 与所述栅极线平行的公共线;和 与所述公共线连接并位于所述像素区域两侧的多个第二公共电极, 其中所述多个像素电极和所述多个第一公共电极位于所述像素区域两侧的所述多个第二公共电极之间。5.根据权利要求4所述的装置,其中所述公共线的一部分是第一存储电极,所述薄膜晶体管的漏极与所述第一存储电极交叠的部分是第二存储电极,并且其中所述第一存储电极和所述第二存储电极与二者之间的栅极绝缘层一起形成存储电容器。6.根据权利要求5所述的装置,进一步包括在所述薄膜晶体管和所述存储电容器上的钝化层,其中所述多个像素电极和所述多个第二公共电极都在所述钝化层上。7.根据权利要求6所述的装置,进一步包括 在所述钝化层上的辅助公共图案,并且所述辅助公共图案与所述多个第二公共电极的第一端连接;和 在所述钝化层上的辅助像素图案,并且所述辅助像素图案与所述多个像素电极的第一端连接, 其中所述辅助公共图案和所述辅助像素图案与所述栅极线平行并且在所述像素区域中彼此相对。8.根据权利要求7所述的装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:李政润郑英燮赵恒燮张斗熙
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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