高压切换电路制造技术

一种用于在电路的输出端子处生成高压切换的电路的示例，包括预设模式下响应输入信号以生成第一电压信号的一对n型金属氧化物半导体（NMOS）晶体管。电路还包括耦接在输出端子和该对NMOS晶体管之间以使第一电压信号可以传播至输出端子的预定数量的n型共源共栅级。进一步，电路包括耦接至输出端子以使第一电压信号可以传播至电路的输入电压供应的预定数量的p型共源共栅级。进一步地，电路包括耦接至输入电压供应的第一对交叉耦接的p型金属氧化物半导体（PMOS）晶体管。电路包括耦接在第一对交叉耦接的PMOS晶体管和p型共源共栅级之间的一对PMOS晶体管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：王衍易，郑肇欣，
申请(专利权)人：新思科技有限公司，
类型：
国别省市：