【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电磁屏蔽材料领域,尤其涉及一种Flash存储卡等电子设备用的电磁屏蔽材料、应用及其制造工艺。
技术介绍
随着Flash存储卡的存储速度的增加，Flash存储卡已经进入到几百MHz到GHz的时代，其可用于各类电子设备作为临时存储和缓冲存储的主要承载设备。但是由于高速传输导致高频信号向外辐射，往往会干扰其它的临近的敏感元器件，产生电磁干扰，这样会很大程度影响电子设备的正常工作。因此，对例如Flash存储卡的电子设备进行屏蔽显得尤为重要。例如，目前也有一些技术来解决Flash存储卡的辐射问题，例如用导电金属层通 过PMC环氧封装工艺直接将导电金属层粘在Flash存储卡的一侧，实现屏蔽和固定的作用；或者采用导电油墨的喷墨打印技术，在成型好的存储卡直接采用喷墨打印的方式将导电层固定到存储卡上实现电磁屏蔽的功能，但由于上述方法都无法形成有效的完整法拉第电笼结构，电磁干扰无法得到彻底解决，同时磁场分量的信号干扰也不能有效地隔离。而且这些方法也不能很好解决导电金属层在高频条件下的磁导率下降的问题。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足...
【技术保护点】
一种电磁屏蔽材料，其特征在于，其包括至少一层：导磁性金属层；所述导磁性金属层的第一表面为通过电化学处理形成镀层；所述导磁性金属层为通过横向磁场热处理后得到。
【技术特征摘要】
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