一种AlGaN/GaN离子PH检测传感器及其应用制造技术

本发明专利技术公开了AlGaN/GaN离子PH检测传感器，其结构为是在Si衬底之上从下之上依次涂覆有GaN层和AlGaN层，AlGaN层表面刻蚀有沟道，未刻蚀沟道的AlGaN层表面覆盖钝化层，沟道宽度小于1nm，钝化层是SiN，其厚度是5-10nm，GaN层的厚度为3-5μm，AlGaN层的厚度为5-10nm。本发明专利技术的AlGaN/GaN离子PH检测传感器制作方法步骤为：（1）在Si衬底依次沉积GaN层、AlGaN层及SiN钝化层，各层厚度分别依次为3-5μm、5-10nm及5-10nm；（2）在SiN钝化层表面涂覆光刻胶后通过曝光、显影后利用ICP-RIE干刻蚀法在SiN钝化表面形成沟道；（3）去胶、清洗后制得AlGaN/GaN离子PH检测传感器。本发明专利技术的PH检测传感器可以迅速、高精度灵敏准确测量确定体液的PH值，实现医疗装置的智能化、小型化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术生物医疗仪器装置及其应用
，尤其是涉及一种用于检测生物体液PH值的AIGaN/GaN传感器。
技术介绍
GaN基材同传统的半导体材料相比，具有键长更短和禁带宽度更大等明显特征。较短的键长意味着大的键能和小的原子质量，从而导致大的声子能量，并且晶格散射很难发生，这样在宏观上会形成很高的热导率和饱和迁移率。大的禁带宽度使得击穿电场更高，雪崩效应难以发生。同时，减少了高温本征载流子以及漏电流的产生。当AlGaN与GaN形成异质结构时，由于两种氮化物均具有很强的自发极化，以及AlGaN层中存在的压电极化，很容易在界面形成极强的极化电荷，并产生高达1013/cm2的二维电子气(2DEG)。这比GaAs基材形成的二维电子气面密度高了一个数量级。因此，GaN基材被广泛应用于制作高温、高频、 大功率半导体器件。在医疗器械领域，用来进行PH值检测的仪器较多，如电流计式检测已，其通过玻璃电极和参比电极在同一溶液中构成原电池的原理测量电位变化，从而确定溶液的PH值强度，但该仪器的精度通常只能达到1%，不能满足人体体液的PH测量要求。为克服现有PH值检测仪的缺陷，必须在测量原理和结构上进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AlGaN/GaN离子PH检测传感器，其特征在于，在Si衬底（6）之上从下之上依次涂覆有GaN层（5）和AlGaN层（4），AlGaN层表面刻蚀有沟道（3），未刻蚀沟道的AlGaN层表面覆盖钝化层（1）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，
申请(专利权)人：宁波科瑞思医疗器械有限公司，
类型：发明
国别省市：