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本发明公开了AlGaN/GaN离子PH检测传感器，其结构为是在Si衬底之上从下之上依次涂覆有GaN层和AlGaN层，AlGaN层表面刻蚀有沟道，未刻蚀沟道的AlGaN层表面覆盖钝化层，沟道宽度小于1nm，钝化层是SiN，其厚度是5-10nm...
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