制造基于硫属化物的光伏电池的方法技术

本发明专利技术是在制作光伏电池中在基于硫属化铜的吸收体上形成基于硫化镉的缓冲体的方法。将缓冲体在相对高的压力溅射。所得到的电池具有良好的效率并且根据一个实施方案，其特征在于吸收体与缓冲体层之间狭窄的界面。根据第二实施方案，缓冲体的特征进一步在于相对高的氧含量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，并且尤其是在这些电池中形成缓冲体层的方法，以及通过该方法制成的电池。
技术介绍
光伏电池可以使用基于P型硫属化物的材料作为吸收体层制成，所述吸收体层将入射光或辐射转化为电能。这些P型硫属化物典型地为以下金属的至少ー种，并且更典型地至少两种或三种的硒化物、硫化物或硫化硒化物Cu、In、Ga、Al (在本文依赖于所使用的元素的组合称为CIS、CISS、CIAS、CIASS、CIGS、CIGSS或CIAGSS)。还已知在p型硫属化物附近或邻近使用基于CdS的缓冲体层。 已知CdS层可以通过化学浴沉积、物理蒸气沉积或溅射在多种基板上形成。參见例如 Abou-Ras 等(Thin Solid Films 480-481(2005) 118-123)和 5，500，055。Abou-Ras具体考察了将CBD沉积与PVD沉积比较的沉积方法的效果，并且发现与用PVD制成的电池比较，CdS的CBD沉积建立更高效的电池。Abou-Ras提出在PVD沉积的电池的情况下，在CIGS-CdS界面相互扩散的缺乏或减少是它们效率降低的原因。专利技术概述本专利技术人令人惊讶地发现将CdS在相对高压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：托德·R·布里登，杰弗里·L·小芬顿，加里·E·米切尔，柯克·R·汤姆森，迈克尔·E·米尔斯，戴维·J·帕里洛，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，
类型：
国别省市：