【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有容纳冷却介质的冷却室的超导磁体装置。
技术介绍
通常,关于超导磁体装置,超导磁体由主线圈和屏蔽线圈构成,主线圈主要在磁场空间产生磁场且卷绕于主线圈架(^ 4—7 ),屏蔽线圈抑制主线圈所产生的磁场泄漏到装置外且卷绕于屏蔽线圈架('>一> F' 7 * —7 )。这样的超导磁体设于容纳冷却介质的冷却室而被冷却。作为这样的超导磁体装置,例如已知专利文献I那样的装置。在专利文献I中,公开了一种超导磁体装置,其在冷却室配置有主线圈、屏蔽线圈以及支撑部件,主线圈和屏蔽 线圈分别卷绕于主线圈架和屏蔽线圈架且以轴向实质上为水平的方式同心状地配置,支撑部件支撑这些线圈架。另外,在磁共振成像装置(MRI)用的超导磁体装置中,要求在超导磁铁的内部区域形成的测定空间(磁场产生空间的中心附近)中磁场均匀度极高(为数ppm以下),即磁通密度相同且无梯度,磁通密度的空间变化极小。为了实现这样的磁场的高均匀化,在设计过程中对产生主磁场的超导磁铁的线圈形状或电流密度等下工夫。但是,有时因制造过程中的尺寸误差等而难以得到如设计那样的制造精度,或者因位于装置设置场所周 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:竹田雅详,伊藤聪,齐藤一功,I米纳米,宫田齐,
申请(专利权)人:日本超导体技术公司,
类型:
国别省市:
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