本发明专利技术涉及一种填料颗粒，其特征在于，其由下述化学式(1)表示的复合氧化锌构成；并且涉及含有该填料颗粒的树脂组合物、脂膏、涂料组合物。并且，根据本发明专利技术，可以得到具有稳定的绝缘性的填料颗粒、以及具有所述填料颗粒的树脂组合物、脂膏、涂料组合物。其中下述化学式(1)中的M为Mg、Co、Li、K、Na或Cu，若将M的价数设为n，则x+ny/2＝1，ZnxMyO(1)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及由低导电性的氧化锌颗粒构成的填料颗粒、树脂组合物、脂膏和涂料组合物。
技术介绍
氧化锌颗粒在树脂、涂料、脂膏等领域中被广泛用作填料颗粒。对于作为这样的填料颗粒的氧化锌颗粒，期待各种功能。作为这样的氧化锌颗粒的特征之一，具有高导电性的性质。在某些用途下，这样的高导电性不会产生特别的问题，但是由于具有导电性，对作 为填料的使用会产生不良影响，存在难以将氧化锌颗粒用作填料的用途。特别是在电子材料、电器制品的领域中，导电性能多会导致不好的結果。因此，要求ー种抑制了导电性的氧化锌颗粒。作为抑制了导电性的氧化锌颗粒，专利文献I中记载的氧化锌颗粒是公知的。专利文献I公开了ー种通过用I价的掺杂剂掺杂从而外周部变成了高电阻层的氧化锌粉末。专利文献2中记载了一种适合于作为压敏电阻粉末的用途的氧化锌颗粒，并且记载了以一定的比例添加各种金属。但是，对于该文献所记载的氧化锌颗粒而言，记载了其作为压敏电阻粉末的使用，不存在关于作为填料的使用的记载。此外，虽然记载了添加其他金属，但由于使用铝作为必要成分，因而绝缘性容易降低，无法充分地进行导电性的抑制。即，认为搬运ZnO的电荷的载体是自由电子，显示出N型半导体特性。据认为，若在ZnO中添加Al3+，则对于Zn2+而言Al3+起到提供自由电子的供体的作用，ZnO的自由电子增加，从而使导电性提尚。专利文献3中记载了ー种取向性氧化锌系压电材料。但是，该文献所记载的是作为压电材料的氧化锌，并不存在关于作为填料的使用的记载。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2007-84704号公报专利文献2 :日本特开2008-218749号公报专利文献3 :日本特开平8-310813号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题鉴于上述内容，本专利技术的目的在于得到具有稳定的绝缘性的填料颗粒、以及具有所述填料颗粒的树脂组合物、脂膏和涂料组合物。用于解决问题的方案本专利技术涉及ー种填料颗粒，其特征在于，其由下述化学式(I)表示的复合氧化锌构成。ZnxMyO (I)(式中，M为 Mg、Co、Li、K、Na 或 Cu，若将 M 的价数设为 n，则 x+ny/2 = I。)对于上述填料颗粒而言，优选0. 0001 < ny/2 < 0. 3。本专利技术还涉及ー种树脂组合物，其特征在于，其含有上述填料颗粒。本专利技术还涉及一种脂膏，其特征在干，其含有上述填料颗粒。本专利技术还涉及ー种涂料组合物，其特征在于，其含有上述填料颗粒。专利技术效果本专利技术的填料在維持了氧化锌本来所具有的性质的同时提高了绝缘性，因而，特别是在电子设备等期待高绝缘性的领域中能够适合作为填料使用。由此，能够得到绝缘性优异的树脂组合物、脂膏、涂料组合物等。附图说明图I是由实施例I得到的本专利技术的填料颗粒的扫描型电子显微镜照片。图2是由实施例I得到的本专利技术的填料颗粒的截面的扫描型电子显微镜照片。图3是示出由实施例I得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图4是示出由实施例I得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Mg的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图5是示出由实施例I得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图6是示出由实施例I得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Mg的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图7是示出对于由实施例I得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn和Mg，通过能量色散型X射线分析进行了定量分析的部位的图像。图8是由实施例2得到的本专利技术的填料颗粒的扫描型电子显微镜照片。图9是由实施例2得到的本专利技术的填料颗粒的截面的扫描型电子显微镜照片。图10是示出由实施例2得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图11是示出由实施例2得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Co的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图12是示出由实施例2得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图13是示出由实施例2得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Co的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图14是示出对于由实施例2得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn和Co，通过能量色散型X射线分析进行了定量分析的部位的图像。图15是由实施例3得到的本专利技术的填料颗粒的扫描型电子显微镜照片。图16是由实施例4得到的本专利技术的填料颗粒的扫描型电子显微镜照片。 图17是由实施例5得到的本专利技术的填料颗粒的扫描型电子显微镜照片。图18是由实施例5得到的本专利技术的填料颗粒的截面的扫描型电子显微镜照片。图19是示出由实施例5得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图20是示出由实施例5得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Na的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图21是示出由实施例5得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图22是示出由实施例5得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Na的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图23是由实施例6得到的本专利技术的填料颗粒的扫描型电子显微镜照片。 图24是由实施例6得到的本专利技术的填料颗粒的截面的扫描型电子显微镜照片。图25是示出由实施例6得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图26是示出由实施例6得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Cu的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图27是示出由实施例6得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图28是示出由实施例6得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Cu的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图29是由实施例7得到的本专利技术的填料颗粒的扫描型电子显微镜照片。图30是由实施例7得到的本专利技术的填料颗粒的截面的扫描型电子显微镜照片。图31是示出由实施例7得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图32是示出由实施例7得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Mg的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图33是示出由实施例7得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图34是示出由实施例7得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Mg的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图35是示出对于由实施例7得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn和Mg,通过能量色散型X射线分析进行了定量分析的部位的图像。图36是由实施例8得到的本专利技术的填料颗粒的扫描型电子显微镜照片。图37是由实施例8得到的本专利技术的填料颗粒的截面的扫描型电子显微镜照片。图38是示出由实施例8得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图39是示出由实施例8得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Co的基于波长色散型X射线分析的绘图的图像。图40是示出由实施例8得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图41是示出由实施例8得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Co的基于波长色散型X射线分析的谱线强度的图像。图42是示出对于由实施例8得到的本专利技术的填料颗粒的截面的Zn和Co，通过能量色散型X射线分析进行了定量分析的部位的图像本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：末田学，寺部敦树，泉川博幸，桥本充央，
申请(专利权)人：堺化学工业株式会社，
类型：
国别省市：
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