【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉 及多核多线程微处理器体系结构设计中的片外存储带宽优化
，具体涉及一种针对处理器线程数目较多的情况下的面向多核多线程微处理器的虚拟活跃页缓冲方法及装置。
技术介绍
主流的片外存储器使用DDR2和DDR3存储器(后文统称DDR)，都是基于SDRAM搭建。DDR SDRAM是一个由片排(rank)、体(bank)、行(row)和列(column)索引的四维的存储结构。存储器控制器一般以先进先出的顺序向SDRAM传递访存指令，这种按程序顺序调度的方法实现简单，但由于存储体竞争，对同一存储体的连续访问必须等待前一个访问完成才能进行，存储器带宽利用率较低。SDRAM芯片中活跃页实际上和敏感放大器息息相关，SDRAM中活跃页将被“读”到敏感放大器上，后续的访问就可以直接访问，速度很快。影响活跃页数量的最主要因素有敏感放大器的数量和功耗，但是敏感放大器的面积较大，数量不可能无限增大，另外，每个敏感放大器的功耗不小，也限制了敏感放大器的总数量。在现阶段，物理活跃页的数目受到物理制造工艺的限制非常有限，DDR2/DDR3 JDEC标准中定义了每个DDR存储器件活...
【技术保护点】
一种面向多核多线程微处理器的虚拟活跃页缓冲方法，其特征在于其实施步骤如下：1）在处理器的片上访存部件和存储器控制器之间构建虚拟活跃页缓冲器，获取来自处理器的片上访存部件的访存请求并判断访存请求的类型，如果访存请求为读请求，则跳转执行步骤2）；如果访存请求为预取读请求，则跳转执行步骤4）；如果访存请求为写请求，则跳转执行步骤7）；2）根据访存请求的请求地址和历史访存请求的请求地址比较判断访存请求的访存模式是否符合预设的规则访问特性，当访存模式符合预设的规则访问特性时判定为页预测命中，否则判定为页预测未命中；3）判断访存请求的所需页是否在虚拟活跃页缓冲器中，如果访存请求对应的页...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：窦强，周宏伟，邓让钰，晏小波，李永进，衣晓飞，张英，曾坤，谢伦国，唐遇星，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：
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