用于在带电粒子设备中使用的检测器制造技术
【技术实现步骤摘要】
用于在带电粒子设备中使用的检测器本专利技术涉及一种用于检测X射线的辐射检测器，该检测器包括硅漂移二极管(SDD)，SDD示出阳极和输出端，SDD响应于单个检测到的光子在输出端上产生脉冲，脉冲高度与由光子的检测所生成的电子空穴对的数量成比例，该输出端被连接到用于测量输出信号的电子电路。从还被称为Niculae[-1-]的“Optimizedreadoutmethodsofsilicondriftdetectorsforhigh-resolutionX-rayspectroscopy”,A.Niculae等人,NuclearInstruments&MethodsinPhysicsResearchA,568(2006)336~342中获悉这样的检测器。已知的出版物公开了包括硅漂移二极管(SDD)和相关电子电路的检测器。SDD示出了活性容积（activevolume），其中诸如X射线光子之类的碰撞辐射生成电子空穴对。作为二极管中的内电场的结果，电子漂移到阳极，在此处它们将阳极充电到对应的电势。阳极是非常小的，并且因此具有相对于阴极而言非常小的电容。获得小于0.5pF...
【技术保护点】
用于检测X射线的辐射检测器，所述检测器包括硅漂移二极管(10,？200)，所述硅漂移二极管示出阳极(16,？202)和输出端，处于工作中的所述硅漂移二极管响应于单个检测到的光子在所述输出端上产生脉冲，所述输出端被连接到用于测量输出信号的电子电路，其特征在于所述硅漂移二极管包括在I/O端口与所述阳极之间的电压/电流转换器(208)，所述检测器被装备成经由开关(209)选择性地连接模拟反馈回路中的所述电压/电流转换器，作为其结果，所述硅漂移二极管被装备成可切换地工作于脉冲高度测量模式或电流测量模式下。
【技术特征摘要】
2011.07.07 EP 11172955.41.用于检测X射线的辐射检测器，所述检测器包括硅漂移二极管(10,200)，所述硅漂移二极管示出阳极(16,202)和输出端，处于工作中的所述硅漂移二极管响应于单个检测到的光子在所述输出端上产生脉冲，所述输出端被连接到用于测量输出信号的电子电路，其特征在于所述硅漂移二极管包括在I/O端口与所述阳极之间的电压/电流转换器(208)，所述检测器被装备成经由开关(209)选择性地连接模拟反馈回路中的所述电压/电流转换器，作为其结果，所述硅漂移二极管被装备成可切换地工作于脉冲高度测量模式或电流测量模式下。2.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中所述电压/电流转换器是电阻器(208)，作为其结果，所述电流测量模式是线性电流测量模式。3.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中所述电压/电流检测器是二极管，作为其结果，所述电流测量模式是对数电流测量模式。4.根据前述权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器，所述硅漂移二极管(10)示出对辐射敏感的表面(18)，所述敏感表面与其上形成所述阳极(16,202)的表面(11)相对，并且所述硅漂移二极管示出接近所述敏感表面的活性容积(20)，所述活性容积至所述敏感表面的距离足够小以便具有20keV的能量的电子透入到此活性容积，并且在所述活性容积中生成电子/空穴对，作为其结果，所述检测器能够被选择性地用作用于检测X射线的检测器或者用作用于检测带电粒子设备中的X射线和电子的检测器。5.根据前述权利要求1-3中任一项所述的辐射检测器，所述硅漂移二极管(10)示出对辐射敏感的表面(18)，所述敏感表面与其上形成所述阳极(16,202)的表面(11)相对，并且所述硅漂移二极管示出接近所述敏感表面的活性容积(20)，所述活性容积至所述敏感表面的距离足够小以便具有2keV的能量的电子透入到此活性容积，并且在...
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