气体传感器及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种气体传感器及其形成方法，该气体传感器包括：衬底；形成在衬底之上的介质层；形成在介质层之上的第一压焊块和第二压焊块；形成在介质层之上的碳基薄膜，其中，碳基薄膜位于第一压焊块与第二压焊块之间，且覆盖第一压焊块与第二压焊块的一部分；以及形成在碳基薄膜之上的第一金属接触和第二金属接触，其中第一金属接触与第一压焊块的至少一部分相连，第二金属接触与第二压焊块的至少一部分相连。本发明专利技术的气敏材料采用石墨烯，气敏性质更优；利用气压在形成的碳基薄膜平整、致密、质量好；形成碳基薄膜之后的工序少，对碳基薄膜的沾污或损害少；最终形成两面夹结构的电极，强度更大，接触电阻更小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种。
技术介绍
气体检测技术在国民经济中占有重要地位，过去几十年中，研究人员在制作方法上包括气敏材料开发和器件微观结构设计上对传感器进行了优化设计，其中硅基微结构薄膜传感器件因为体积小，易于集成的优点而被广泛应用。目前的硅基微结构薄膜传感器件中气敏材料多采用Sn02、ZnO、Fe203、La203、In2O3,Al2O3' W03、MoO3, TiO2, V205、Co3O4, Ga2O3, CuO, NiO、Si O2 等金属氧化物，以及 ABO3 (YFeO3>LaFeO3> ZnSnO3> CdSnO3> Co2TiO3)、A2BO4 (MgFe2O4、CdFe2O4, CdIn2O4)型复合氧化物及其掺杂的化合物，工作温度在200-500°C范围内。对应地，如图I所示，硅基微结构薄膜传感器件通常包括Si衬底100’、绝缘介质层200’、加热电极300’、测试电极400’和气敏薄膜500’，其中气敏薄膜500’通过旋涂气敏材料然后烧结而成。现有硅基微结构薄膜传感器件中，由于气敏薄膜500’是通过旋涂并烧结而成，往本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成介质层；在所述介质层之上形成第一压焊块和第二压焊块；在所述介质层之上形成碳基薄膜，其中，所述碳基薄膜位于所述第一压焊块与第二压焊块之间，且覆盖所述第一压焊块与第二压焊块的一部分；以及在所述碳基薄膜之上形成第一金属接触和第二金属接触，其中所述第一金属接触与所述第一压焊块的至少一部分相连，所述第二金属接触与所述第二压焊块的至少一部分相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：伍晓明，肖柯，吕宏鸣，钱鹤，吴华强，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：