本实用新型专利技术涉及一种新型发射机低功耗过流检测电路装置，包括场效应管栅极Ug、场效应管漏极Ud、芯片U1，所述的场效应管栅极Ug与场效应管漏极Ud间依次连接有电阻R1、电阻R2、发射机D1；该电阻R1与电阻R2间连接有电容C3，电容C3与电容C1相连，且该电容C3和电容C1与芯片U1相连；该芯片U1还与电容C2相连，电容C2与接地相连；本实用新型专利技术的有益效果为：通过检测取样电阻两端的电压来检测流过的电流，但是消耗功率极低；场效应管漏极和栅极在导通的情况下都存在沟道电阻Rds,本设计就是利用Rds来代替电流取样电阻，这样就不会因为监视电流而额外的增加一部分功率消耗。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种过流检测电路装置领域，尤其涉及一种新型发射机低功耗过流检测电路装置。
技术介绍
D类发射机效率极高，在水声探测方面得到了广泛的应用。为了能让发射机转换效率尽可能的提高，很多辅助电路环节都必须尽可能的往 低功耗方面考虑，尤其一些在水下用电池供电的小型D类发射机，对效率显得尤为重要。但又不能影响发射机的性能，其中在发射机的过流检测部分，如设计的不好会在其上面消耗很多功率，也会对发射机的使用寿命造成隐患。关于过流检测的电路，通常是用一个或很多功率相对较大的阻值很小的电流取样电阻并联，从几十到几百毫欧姆看实际情况不等，串在电源输出端，通过检测取样电阻两端的电压来检测电源的输出电流有多大。这种方法在开关电源、功率放大器等需要大功率输出的PWM形式的场合上使用的比较普遍，简单易用。但是这种方法在大功率场合，取样电阻的功率要求做的很高，同时在它上面又会消耗很多能量，在一些对能量转换效率要求极高的设备上，这种方法显得有点不妥。这里我们针对这种情况，设计了一种低功耗过流检测电路。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述存在的不足，而提供一种通过检测取样电阻两端的电压来检测流过的电流，但消耗功率极低的新型发射机低功耗过流检测电路装置。本技术的目的是通过如下技术方案来完成的，它包括场效应管栅极Ug、场效应管漏极Ud、电阻R1、电阻R2、发射机D1、芯片U1,所述的场效应管栅极Ug与场效应管漏极Ud间依次连接有电阻R1、电阻R2、发射机D1 ;该电阻R1与电阻R2间连接有电容C3，电容C3与电容C1相连，且该电容C3和电容C1与芯片U1相连；该芯片U1还与电容C2相连，电容C2与接地相连。作为优选，所述的芯片U1由RST接口、DIS接口、OUT接口、TRI接口、CON接口、THR接口构成，该RST接口通过4脚与电容C2相连，DIS接口通过7脚与外界设备相连，OUT接口通过3脚与控制器相连，TRI接口通过2脚与电阻R1、电阻R2相连，CON接口与电容C1相连，THR接口与电容C3相连。作为优选，所述的芯片U1通过8脚输入电压，芯片U1通过I脚与接地相连。本技术的有益效果为通过检测取样电阻两端的电压来检测流过的电流，但是消耗功率极低；场效应管漏极和栅极在导通的情况下都存在沟道电阻Rds，本设计就是利用Rds来代替电流取样电阻，这样就不会因为监视电流而额外的增加一部分功率消耗。附图说明图I是本技术的结构示意图。图2是本技术的芯片U1的结构示意图。附图中的标号分别为1、场效应管栅极。8，2、场效应管漏极。(1，3、电阻1 1，4、电阻R2, 5、发射机 D1,6、芯片 ％，7、电容(3，8、电容(1，9、电容(2，10、控制器，61、1 1'接口，62、013接口，63、OUT 接口，64、TRI 接口，65、CON 接口，66、THR 接口。具体实施方式下面将结合附图对本技术做详细的介绍如附图1、2所示，本技术包括场效应管栅极Ugl、场效应管漏极Ud2、电阻凡3、电阻R24、发射机队5、芯片U1G,所述的场效应管栅极Ugl与场效应管漏极Ud2间依次连接有电阻&3、电阻R24、发射机Dj ;该电阻札3与电阻R24间连接有电容C37，电容C37与电容Q8相连，且该电容C37和电容Q8与芯片U# 相连；该芯片U#还与电容C29相连，电容C29与接地相连。所述的芯片U# 由 RST 接口 61、DIS 接口 62、OUT 接口 63、TRI 接口 64、CON 接口65、THR接口 66构成，该RST接口 61通过4脚与电容C29相连，DIS接口 62通过7脚与外界设备相连，OUT接口 63通过3脚与控制器10相连，TRI接口 64通过2脚与电阻&3、电阻R24相连，CON接口 65与电容Q8相连，THR接口 66与电容C37相连。所述的芯片U#通过8脚输入电压，芯片U#通过I脚与接地相连。本技术的工作原理为当场效应管沟道上流过的电流变化时，场效应管漏极Ud2的电压也会跟着变化，电流大时，电压就大，对应着芯片U#的2脚上的电压就会升高。图2是ICM7555的内部结构，过流，门限值是根据芯片ICM7555的窗口比较实现的，通过调节电阻札3、电阻R24的阻值就可以设定过流门限值。电容C1与电容C3是用来吸收电压尖峰，防止芯片U#误动作。除上述实施例外，凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本技术要求的保护范围。权利要求1.ー种新型发射机低功耗过流检测电路装置，其特征在于包括场效应管栅极Ug(l)、场效应管漏极Ud (2)、电阻R1 (3)、电阻R2 (4)、发射机D1 (5)、芯片仏(6)，所述的场效应管栅极Ug (I)与场效应管漏极Ud (2)间依次连接有电阻R1 (3)、电阻R2 (4)、发射机D1(5);该电阻R1 (3)与电阻R2 (4)间连接有电容C3 (7)，电容C3 (7)与电容C1 (8)相连，且该电容C3 (7)和电容C1 (8)与芯片U1 (6)相连；该芯片U1 (6)还与电容C2 (9)相连，电容C2 (9)与接地相连。2.根据权利要求I所述的新型发射机低功耗过流检测电路装置，其特征在于所述的芯片 U1 (6)由 RST 接 ロ(61)、DIS 接 ロ(62)、OUT 接 ロ(63)、TRI 接 ロ(64)、CON 接 ロ(65)、THR接ロ(66)构成，该RST接ロ(61)通过4脚与电容C2 (9)相连，DIS接ロ(62)通过7脚与外界设备相连，OUT接ロ(63)通过3脚与控制器(10)相连，TRI接ロ(64)通过2脚与电阻R1 (3)、电阻R2 (4)相连，CON接ロ(65)与电容C1 (8)相连，THR接ロ(66)与电容C3 (7)相连。3.根据权利要求2所述的新型发射机低功耗过流检测电路装置，其特征在于所述的芯片U1 (6)通过8脚输入电压，芯片U1 (6)通过I脚与接地相连。专利摘要本技术涉及一种新型发射机低功耗过流检测电路装置，包括场效应管栅极Ug、场效应管漏极Ud、芯片U1，所述的场效应管栅极Ug与场效应管漏极Ud间依次连接有电阻R1、电阻R2、发射机D1；该电阻R1与电阻R2间连接有电容C3，电容C3与电容C1相连，且该电容C3和电容C1与芯片U1相连；该芯片U1还与电容C2相连，电容C2与接地相连；本技术的有益效果为通过检测取样电阻两端的电压来检测流过的电流，但是消耗功率极低；场效应管漏极和栅极在导通的情况下都存在沟道电阻Rds,本设计就是利用Rds来代替电流取样电阻，这样就不会因为监视电流而额外的增加一部分功率消耗。文档编号G01R19/165GK202649292SQ20122016302公开日2013年1月2日 申请日期2012年4月17日 优先权日2012年4月17日专利技术者丁昂, 黄荣, 王耀 申请人:宁波明科机电有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型发射机低功耗过流检测电路装置，其特征在于：包括场效应管栅极Ug（1）、场效应管漏极Ud（2）、电阻R1（3）、电阻R2（4）、发射机D1（5）、芯片U1（6），所述的场效应管栅极Ug（1）与场效应管漏极Ud（2）间依次连接有电阻R1（3）、电阻R2（4）、发射机D1（5）；该电阻R1（3）与电阻R2（4）间连接有电容C3（7），电容C3（7）与电容C1（8）相连，且该电容C3（7）和电容C1（8）与芯片U1（6）相连；该芯片U1（6）还与电容C2（9）相连，电容C2（9）与接地相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁昂，黄荣，王耀，
申请(专利权)人：宁波明科机电有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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