一种电容式触摸屏架桥结构制作方法技术

技术编号:8161333 阅读:370 留言:0更新日期:2013-01-07 19:25
本发明专利技术公开一种电容式触摸屏架桥结构制作方法,包括:在纳米铟锡金属氧化物ITO上,制作出在第一方向相互连通的基准图形阵列,在垂直于所述第一方向的第二方向上,制作出相互隔断的基准图形阵列;在第二方向上的基准图形阵列的相互隔断的区域设置绝缘层;在所述绝缘层上镀金属膜;采用负性光刻胶对所述金属膜进行光刻;对光刻后的所述金属膜进行蚀刻,以便在第二方向将所述基准图形阵列连通。采用本发明专利技术所公开的电容式触摸屏架桥结构制作方法,能够有效避免灰尘等脏污对曝光过程的影响,还能够省去对电路制作保护层的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
,特别是涉及ー种电容式触摸屏架桥结构制作方法
技术介绍
电容式触摸屏是现有技术中广泛使用的ー种触摸屏。电容式触摸屏的电路结构为架桥结构。以投影式电容式触摸屏为例,其架桥结构为在交叉点处互不导通的X、Y方向的电路。现有技术中,电容式触摸屏架桥结构的制作方法大致包括步骤a、在纳米铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxides, I TO)上,制作出X方向的电路;b、在X、Y方向的电路的交叉点处制作绝缘层;c、制作Y方向的电路;d、对电路制作保护层。对于步骤C,现有技术中,采用正性胶(光刻胶的ー种)对电路进行图案制作。现有技术中,用正性胶进行电路(金属)图案的制作的大致流程为在待刻蚀金属层表面涂正性胶;用具有镂空图案的铬板遮盖住正性胶涂层,并曝光;曝光时,由于具有镂空图案的铬板的遮挡,正性胶涂层的部分区域不会受到光的照射;这样,曝光的区域的正性胶见光溶解,未曝光的区域,正性胶保留下来;然后再对覆盖有正性胶的金属层进行刻蚀,只有正性胶溶解了的区域的金属层才会被刻蚀。但是现有技术存在如下缺点因为制作Y方向的电路时,需要刻蚀掉的金属部分比例很大,所以采用正性胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容式触摸屏架桥结构制作方法,其特征在于,包括:在纳米铟锡金属氧化物ITO上,制作出在第一方向相互连通的基准图形阵列,在垂直于所述第一方向的第二方向上,制作出相互隔断的基准图形阵列;在第二方向上的基准图形阵列的相互隔断的区域设置绝缘层;在所述绝缘层上镀金属膜;采用负性光刻胶对所述金属膜进行光刻;对光刻后的所述金属膜进行蚀刻,以便在第二方向将所述基准图形阵列连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:汪敏洁蔡汉业朱景河何基强
申请(专利权)人:信利半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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