一种基于共路干涉的集成电场传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种基于共路干涉的集成电场传感器，属于电场测量技术领域。传感器包括铌酸锂基片、硅基片、垫片、探测单元和调制单元，铌酸锂基片和硅基片通过紫外固化胶相互粘接，铌酸锂基片和硅基片分别通过紫外固化胶与垫片相互粘结。探测单元包括两个上接触电极、连接导线和两个偶极子天线；调制单元包括两个下接触电极、光波导和两个调制电极。本发明专利技术的电场传感器，具有良好的温度稳定性；在保证传感器尺寸较小的基础上，显著提高了电场测量的灵敏度和动态范围；本发明专利技术设计的二维电场传感器，使探测单元中的两对天线的轴线方向正交，与调制单元相组合，可实现二维电场测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种基于共路干涉的集成电场传感器，尤其涉及一种基于电光效应的共路干涉仪结构的光学集成电场传感器，属于电场测量

技术介绍
电场是表征自然界电磁现象的基本物理量，电场测量是众多科学和
的基础研究手段。随着电力系统及核エ业的发展，高电压工程、高能电磁脉冲及高能物理等领域中强电场的測量正在引起研究人员越来越多的关注。随着集成光学技术的发展，光学集成电场传感器得到了深入研究。专利号是USP5209273的美国专利，公开了 ー种集成共路干涉仪电场传感器，相比其他结构的光学集成电场传感器，共路干涉仪类型具有较高的温度稳定性。研究结果表明，常用的马赫-曾德类型电场传感器静态工作点随温度漂移的速率为I. 25° I。C，而共路干涉仪类型电场 传感器静态工作点随温度漂移的速率仅为、.2° I。C，温度稳定性提高五倍以上，參见。因此有望基于集成共路干涉仪开发高稳定性电场、电压传感器。已有基于集成共路干涉仪电场传感器的电场测量系统的结构如图I所示，包括激光源101、输入保偏光纤102、传感器103、输出保偏光纤104、检偏器105和光探测器106。其中传感器103采用铌酸锂(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于共路干涉的集成电场传感器，其特征在于该电场传感器包括铌酸锂基片、硅基片、垫片、探测单元和调制单元，所述的铌酸锂基片和硅基片通过紫外固化胶相互粘接，铌酸锂基片和硅基片分别通过紫外固化胶与垫片相互粘结；所述的探测单元包括两个上接触电极、连接导线和两个偶极子天线，两个偶极子天线分别通过光刻方法附着在硅基片的表面，所述的两个偶极子天线分别为三角形，偶极子天线的轴线方向长度La为2mm？20mm，偶极子天线的底部宽度Wa为100μm？400μm，两根偶极子天线之间的间距Ga为20μm？60μm，偶极子天线的轴线方向与硅基片的长度方向平行，所述的上接触电极通过光刻方法附着在硅基片的表面，两个上接触...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王博，牛犇，曾嵘，余占清，庄池杰，俞俊杰，李婵虓，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：